مهندس 360
ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters
translate to Persian - Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters
دسته بندی:
ترجمه مقاله
Abstract - We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.
چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست.
ویژگی های محصول| ویژگی | اندازه |
|---|---|
| تعداد صفحات | 11 |
| فرمت فایل ها | PDF - DOCX |
دیگران را با نوشتن نظرات خود، برای انتخاب این محصول راهنمایی کنید.
لطفا پیش از ارسال نظر، قوانین زیر را مطالعه کنید:- فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیش‌از‌حدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحه‌کلید بپرهیزید.
- نظرات خود را براساس تجربه و استفاده‌ی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمه‌‌ای خودداری کنید.
- بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید.
- به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیام‌هایی که شامل محتوای توهین‌آمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف می‌شوند.
- از ارسال لینک‌های سایت‌های دیگر و ارایه‌ی اطلاعات شخصی خودتان مثل شماره تماس، ایمیل و آی‌دی شبکه‌های اجتماعی پرهیز کنید.
ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer
ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers
ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی)
ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells
ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers
