مهندس 360
ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
A novel efficient double junction InGaP / GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
دسته بندی:
ترجمه مقاله
Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.
- چکیده - با استفاده از شبیه ساز افزاره دو بعدی silvaco atlas، مشخصه های فتوولتاییک یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs شبیه سازی عددی شده است. در این کار، عملکرد سلول خورشیدی InGaP/GaAs دو پیوند با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک اصلاح شده است. پیش بینی شده که با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک 110 نانومتری روی سطح سلول، بازده تغییر خواهد کرد و از 40.879% به 41.95% افزایش خواهد یافت. در نهایت، عملکرد سلول قبل و بعد از اضافه کردن لایه نازک CNT مقایسه شد.
- تعداد صفحات: 10
- فرمت: docx و pdf
| ویژگی | اندازه |
|---|---|
| تعداد صفحات | 10 |
| فرمت فایل | docx |
دیگران را با نوشتن نظرات خود، برای انتخاب این محصول راهنمایی کنید.
لطفا پیش از ارسال نظر، قوانین زیر را مطالعه کنید:- فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیش‌از‌حدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحه‌کلید بپرهیزید.
- نظرات خود را براساس تجربه و استفاده‌ی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمه‌‌ای خودداری کنید.
- بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید.
- به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیام‌هایی که شامل محتوای توهین‌آمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف می‌شوند.
- از ارسال لینک‌های سایت‌های دیگر و ارایه‌ی اطلاعات شخصی خودتان مثل شماره تماس، ایمیل و آی‌دی شبکه‌های اجتماعی پرهیز کنید.
ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer
ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers
ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی)
ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells
ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers
ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters
