وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

حضور و عملکرد پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. در این پست، شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer در سیلواکو انجام شده و نتایج بدست آمده شباهت بسیار زیادی با مقادیر درج شده در مقاله دارند. 

در این پژوهش، بهینه سازی عملکرد سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs ارائه شده است. در مرحله اول، طرحی برای یک سلول خورشیدی دو پیوند مبتنی بر دیود تونلی GaAs ارائه شده است. در مرحله دوم، شبیه سازی افزاره مورد استفاده با نتایج آزمایش های اخیر یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs کالیبره شده است. همچنین نتایج حاصل از شبیه سازی های این مقاله بسیار مشابه نتایج مندرج در مقاله می باشند.