وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

حضور و عملکرد پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. در این پست، شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer در سیلواکو انجام شده و نتایج بدست آمده شباهت بسیار زیادی با مقادیر درج شده در مقاله دارند. 

در این مقاله، تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن استفاده می شوند. در این مقاله، با تغییر ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می یابد. برای شبیه سازی، از نرم افزار SILVACO ATLAS برای انجام شبیه سازی سلول خورشیدی CIGS تحت طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است.

در این پست با یکی دیگر از آموزش های سایت مهندس 360 در خدمتت شما هستیم. این آموزش در خصوص نحوه عملکرد سلول خورشیدی است و در آن به مواردی مانند پدیده فتوولتاییک، طیف های خورشیدی و کاربردهای زمینی و فضایی آنها و سلول های خورشیدی تخت و متمرکز شده توضیحاتی ارائه شده و در ادامه این بحث ها، بحث های تخصصی تری مثل سلول های خورشیدی تک پیوند و چند پیوند، شناخت عملکرد لایه های مختلف یک سلول خورشیدی و یک سری توضیحات تکمیلی مانند نرخ فتوجنریشن و میدان گسترش یافته در سلول ارائه شده اند. بدیهی است که دانستن این موارد به شما کمک می کنه تا بتوانید درک بهتری از موضوعات مرتبط با سلول های خورشیدی داشته باشید و در کنار این موارد آمادگی شما را برای ارائه راهکار (ایده) هایی جهت بهبود عملکرد یک سلول افزایش می دهد. 

در این پژوهش، بهینه سازی عملکرد سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs ارائه شده است. در مرحله اول، طرحی برای یک سلول خورشیدی دو پیوند مبتنی بر دیود تونلی GaAs ارائه شده است. در مرحله دوم، شبیه سازی افزاره مورد استفاده با نتایج آزمایش های اخیر یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs کالیبره شده است.

در این پژوهش، بهینه سازی عملکرد سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs ارائه شده است. در مرحله اول، طرحی برای یک سلول خورشیدی دو پیوند مبتنی بر دیود تونلی GaAs ارائه شده است. در مرحله دوم، شبیه سازی افزاره مورد استفاده با نتایج آزمایش های اخیر یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs کالیبره شده است. همچنین نتایج حاصل از شبیه سازی های این مقاله بسیار مشابه نتایج مندرج در مقاله می باشند.