وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

در این مقاله، تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن استفاده می شوند. در این مقاله، با تغییر ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می یابد. برای شبیه سازی، از نرم افزار SILVACO ATLAS برای انجام شبیه سازی سلول خورشیدی CIGS تحت طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است.

Silvaco سالانه نسخه ای جدید از این نرم افزار را ارائه می کند و به روزرسانی های آن بصورت دوره ای در خلال این مدت ارائه می شوند. دستورالعمل های موجود در راهنمای قرار داده شده در این پست، کلیه مراحل لازم برای نصب و راه اندازی ابزارهای Silvaco را پوشش می دهند. برای دستیابی به جزئیات بیشتر به بخش ادامه مطلب مراجعه کنید.

در این پژوهش، بهینه سازی عملکرد سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs ارائه شده است. در مرحله اول، طرحی برای یک سلول خورشیدی دو پیوند مبتنی بر دیود تونلی GaAs ارائه شده است. در مرحله دوم، شبیه سازی افزاره مورد استفاده با نتایج آزمایش های اخیر یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs کالیبره شده است.