وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

سیستم مخابراتی سیستمی است که اطلاعات را از یک نقطه (مبدأ) به نقطه دیگری (مقصد) می فرستد. اطلاعات انتقال یافته می توانند به صورت صوت، تصویر و یا داده های رمزنگاری شده باشند. هر پیام تحسم فیزیکی اطلاعات تولید شده توسط منبع است. یک منبع می تواند به صورت آنالوگ یا دیجیتال باشد. اغلب پیام تولید شده توسط منابع کمیتی غیر الکتریکی است. لذا در ورودی و خروجی سیستم های مخابراتی از مبدل ها استفاده می شود. این مبدل ها در ورودی پیام را به سیگنال الکتریکی (ولتاژ یا جریان) و در خروجی سیگنال الکتریکی را به پیام مطلوب تبدیل می کند.

این جزوه در 64 صفحه و در قالب PDF به صورت کاملاً تایپ شده ارائه شده است.

این جزوه در 57 صفحه و در قالب PDF به صورت کاملاً تایپ شده ارائه شده است.

Numerical modeling and simulation help to optimize semiconductor devices such as solar cells in understanding key physi-cal phenomena and behaviors, thereby reducing time and cost. The development of solar energy engineering is progressed tremendously with the construction of integrated multi-junction solar cells based on III–V semiconductor compounds. In this study, an InGaP/GaAs double-junction solar cell is presented based on the back-surface field (BSF) layer. A unique and enhanced structure is created by introducing a 1.5-m-thick InAlGaP intrinsic material to the tunnel junction along with the introduction of the BSF top layer. In a single/multi-junction device, effective BSF is a crucial structural component for an efficient solar cell. Important parameters of open-circuit voltage  (VOC), short-circuit current density  (JSC), fill factor (FF), and efficiency (η) in the proposed solar cell model are calculated  VOC = 2.7473 V,  JSC = 1894.61 mA/cm2, FF = 87.544%, and η = 43.61%, respectively. The simulations are obtained at solar intensities (1000 suns) under the AM1.5G standard spectrum.

به منظور بررسی و تحلیل رفتار قطعه مجتمع اپتوالکترونیک با ساختار کوانتومی پیش از هر چیزی باید مشخصه های فیزی ناشی از بکارگیری ساختارهای کوانتومی متفاوت در اجزای قطعه تشکیل دهنده آن را بررسی و محاسبه نمود. یک ساختار کوانتومی می تواند شامل مجموعه ای متناوب از چاه های پتانسیل مستطیل شکل یک تایی و یا چند تایی باشد که ممکن است بدون کرنش و یا تحت کرنش تراکمی یا کششی باشند. برای بررسی خواص نوری ساختارهای چاه کوانتومی، محاسبه ساختار نواری و توابع مج الکترون و حفره ضروری است. بنابراین در بخشی از این جزوه نحوه محاسبه ساختار نواری نوار هدایت و ظرفیت در نیمه رساناهای گاف مستقیم حول لبه نوار با استفاده از نظریه بلاخ و روش K.P و لحاظ کردن اختلاط ترازهای نوار ظرفیت و اثرات کرنش تراکمی یا کششی و میدان الکترکی ارائه می شود.