مهندس 360
ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
Translation of Analytical and visual modeling of InGaN / GaN single quantum well laser based on rate equations
دسته بندی:
ترجمه مقاله
An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.
فایل ترجمه در قالب ورد و شامل 18 صفحه می باشد.
ویژگی های محصول| ویژگی | اندازه |
|---|---|
| فرمت فایل | docx, pdf |
| تعداد صفحات | 18 |
دیگران را با نوشتن نظرات خود، برای انتخاب این محصول راهنمایی کنید.
لطفا پیش از ارسال نظر، قوانین زیر را مطالعه کنید:- فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیش‌از‌حدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحه‌کلید بپرهیزید.
- نظرات خود را براساس تجربه و استفاده‌ی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمه‌‌ای خودداری کنید.
- بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید.
- به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیام‌هایی که شامل محتوای توهین‌آمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف می‌شوند.
- از ارسال لینک‌های سایت‌های دیگر و ارایه‌ی اطلاعات شخصی خودتان مثل شماره تماس، ایمیل و آی‌دی شبکه‌های اجتماعی پرهیز کنید.
تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer
ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers
ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی)
ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells
ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers
ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters
