مواد با شکاف باند پهن در 10 سال گذشته به دلیل کاربرد های الکترونیکی و اپتو الکترونیکی مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. دلیل این علاقه، خواص متفاوت مواد نسبت به سیلیکون است و بیشتر در الکترونیک کاربرد دارند. نیمه هادی های ترکیبی گروه 3 و 5 معمولاً دارای شکاف باندی در محدوده 1eV تا 6eV می باشند. این شکاف باند بسیار بزرگ برای دیودهای نوری (LED) طول موج کوتاه و برای کاربردهای الکترونیکی که توان بالا، ولتاژ شکست بالا و مقاومت در برابر درجه حرارت بالا مورد نیاز باشد مفید است. نیمه هادی های با شکاف باند پهن همچنین در فرکانس های رادیویی (RF) به دلیل انتقال سریع حاملشان به علت غلظت الکترونی ذاتی بالای آنها که 2DEG نامیده می شوند استفاده می شوند.

این تحقیق که در 4 صفحه و در قالب فایل ورد فراهم شده بطور مختصر به معرفی موادی مانند InGaN، InAlN، AlGaN، InN، AlN، GaN و SiC می پردازد.