کاربر عزیز خوش آمدید!
|

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه دوم)

www.mohandes360.ir

فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.

نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:

نانو روکش ها‌
نانو مواد
نانو پودرها
نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)
نانو کامپوزیت‌ها
مهندسی مولکولی
موتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)
نانو الکترونیک
نانو سیم‌ها
DNA نانوسیم ها
نانو حسگرها
نانو ترانزیستورها

با وجود کامل بودن جزوه اول، این جزوه تکمیل کننده جزوه اول است. 

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

www.mohandes360.ir

فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.

نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:

نانو روکش ها‌
نانو مواد
نانو پودرها
نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)
نانو کامپوزیت‌ها
مهندسی مولکولی
موتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)
نانو الکترونیک
نانو سیم‌ها
DNA نانوسیم ها
نانو حسگرها
نانو ترانزیستورها

این جزوه شامل بخش های زیر می باشد:

مروری بر مکانیک کوانتومی
رابطه انرژی و طول موج
خاصیت دوگانگی موج - ذره الکترون در فضای آزاد
خاصیت موج - ذره
ابزار های اندازه گیری در کوانتوم
معادله شرودینگر
معادله شرودینگر مستقل از زمان
معادله شرودینگر وابسته به زمان
اندازه حرکت الکترون
تابع موج
چاه بی نهایت
حل معادله شرودینگر به روش تفاضل متناهی
بدست آوردن جریان از تابع موج
چاه محدود
بررسی رفتار الکترون
بررسی رفتار الکترون وقتی مقید نیست
تونل زنی 
دیود تونلی
بررسی ساختار بالک (BULK)، چاه کوانتومی (Quantum Well)، سیم (Wire) و نقطه (Dot)
نانو لوله کربنی و نانوسیم نیمه هادی
مهندسی کرنش (Strain Engineering)
ادوات نانو الکترونیک
انواع ترانزیستور های اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادی
ترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم نیمه هادی ناهمگون (هسته - پوشش)
ساختار نوار انرژی نانوسیم
نانوسیم سیلیکونی Si-NW
ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی
شبیه سازی
شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی (نانولوله کربنی) بر اساس مدل بالستیک
مدل CNTFET
فلوچارت روش Self Consistent
بدست آوردن شیب زیر آستانه، SS، منحنی جریان ولتاژ، منحنی Ion/Ioff، نسبت SSبه d و...
بررسی مدلسازی اثر دمای محیط بر NWFET
بررسی مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

ترجمه مقاله: Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET


After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

پس از کشف نانولوله های کربنی (CNT) ها توسط ایجیما، تحقیقات علمی در مورد این ساختار با توجه به خواص الکترونیکی بسیار عالی آن گسترش یافت. یکی از خواص مهم این ساختار انتقال شبه بالستیک با تحرک حامل بالا است. با استفاده از نانو لوله های کربنی، دو نوع ترانزیستور اثر میدانی تشریح شده است. نوع اول ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی سد شاتکی (SB-CNTFET) است و نوع دوم ترانزیستورهای نانو لوله کربنی مانند ماسفت (MOSCNT) ها هستند. MOSCNT ها به دلیل میزان جریان روشن-خاموش بالا مطلوب هستند اما جریان نشتی (IL) ترانزیستور به دلیل احتمال تونل زنی باند به باند (BTBT) خیلی بالاست. به منظور مقابله با این مشکل، برخی از راه حل ها از قبیل آلایش خطی یا سبک سورس و درین، گسترش سورس و درین و ضخامت اکسید نامتقارن پیشنهاد شده اند. همچنین ساختار گیت دوگانه و اثر پارامتر های سورس و درین روی مشخصه های CNTFET بررسی شده اند. علاوه بر این، هاله نوع P فرکانس قطع و تأخیر سوئیچینگ CNTFET را بدتر می کند. 

برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.

فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET

در سال 1965 آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر شدن ابعاد مدارات، قیمت پایین تر، سرعت بالا تر و توان مصرفی پایین تر شود. پیش بینی ها توسط ITRS نشان می دهد که کوچک سازی CMOS ها در حدود سال 2018 با رسید به عرض کانال 20nm به پایان خواهد رسید.

بزرگترین مشکل برای کاهش ابعاد ترانزیستورها، مسائل اقتصادی مربوط به آنهاست. با وجودیکه این فرایند امکان ساخت مدارات و سیستم های قابل اطمینان را به ما می دهد، کاهش ابعاد، تولید ماسک های قابل اطمینان را بسیار گران می کند. به هر حال دو مشکل اساسی وجود دارند که نیاز به حل آنهاست. اول هزینه های سرسام آور و دوم محدودیت های اندازه فیزیکی. راه حل این مشکلات استفاده از فناوری نانو است. بطور مثال سیم ها، دیودها و ترانزیستور ها و... می توانند با این تکنولوژی کوچک سازی شوند. 

در این مجموعه فایل به بررسی ترانزیستور های نانو لوله کربنی CNTFET پرداخته شده و همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و بخضی از فایل های ترجمه شده، خلاصه گزارش و دو پایان نامه در این خصوص در این مجموعه قرار گرفته است.

فهرست مطالب:

مقدمه:
قانون مور
موانع کاهش ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی

نانو:
نانو لوله و انواع آن
قوس الکتریکی، CVD و تبخیر لیزری
ساختار
نمودار جریان نسبت به VGS و VDS

مقایسه:
مقایسه با دیگر افزاره ها با کانال حدود 10 نانومتر

شبیه سازی:
متدهای شبیه سازی
نرم افزار

نتیجه گیری:
ویژگی های و چالش های نانو لوله کربنی
نتیجه گیری


برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

تماس با ما
سفارش پروژه