کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

تعداد صفحات: 12

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید. 

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه دوم)

www.mohandes360.ir

فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.

نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:

نانو روکش ها‌
نانو مواد
نانو پودرها
نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)
نانو کامپوزیت‌ها
مهندسی مولکولی
موتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)
نانو الکترونیک
نانو سیم‌ها
DNA نانوسیم ها
نانو حسگرها
نانو ترانزیستورها

با وجود کامل بودن جزوه اول، این جزوه تکمیل کننده جزوه اول است. 

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

www.mohandes360.ir

فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.

نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:

نانو روکش ها‌
نانو مواد
نانو پودرها
نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)
نانو کامپوزیت‌ها
مهندسی مولکولی
موتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)
نانو الکترونیک
نانو سیم‌ها
DNA نانوسیم ها
نانو حسگرها
نانو ترانزیستورها

این جزوه شامل بخش های زیر می باشد:

مروری بر مکانیک کوانتومی
رابطه انرژی و طول موج
خاصیت دوگانگی موج - ذره الکترون در فضای آزاد
خاصیت موج - ذره
ابزار های اندازه گیری در کوانتوم
معادله شرودینگر
معادله شرودینگر مستقل از زمان
معادله شرودینگر وابسته به زمان
اندازه حرکت الکترون
تابع موج
چاه بی نهایت
حل معادله شرودینگر به روش تفاضل متناهی
بدست آوردن جریان از تابع موج
چاه محدود
بررسی رفتار الکترون
بررسی رفتار الکترون وقتی مقید نیست
تونل زنی 
دیود تونلی
بررسی ساختار بالک (BULK)، چاه کوانتومی (Quantum Well)، سیم (Wire) و نقطه (Dot)
نانو لوله کربنی و نانوسیم نیمه هادی
مهندسی کرنش (Strain Engineering)
ادوات نانو الکترونیک
انواع ترانزیستور های اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادی
ترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم نیمه هادی ناهمگون (هسته - پوشش)
ساختار نوار انرژی نانوسیم
نانوسیم سیلیکونی Si-NW
ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی
شبیه سازی
شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی (نانولوله کربنی) بر اساس مدل بالستیک
مدل CNTFET
فلوچارت روش Self Consistent
بدست آوردن شیب زیر آستانه، SS، منحنی جریان ولتاژ، منحنی Ion/Ioff، نسبت SSبه d و...
بررسی مدلسازی اثر دمای محیط بر NWFET
بررسی مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

تماس با ما
سفارش پروژه