کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله: Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET


After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

پس از کشف نانولوله های کربنی (CNT) ها توسط ایجیما، تحقیقات علمی در مورد این ساختار با توجه به خواص الکترونیکی بسیار عالی آن گسترش یافت. یکی از خواص مهم این ساختار انتقال شبه بالستیک با تحرک حامل بالا است. با استفاده از نانو لوله های کربنی، دو نوع ترانزیستور اثر میدانی تشریح شده است. نوع اول ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی سد شاتکی (SB-CNTFET) است و نوع دوم ترانزیستورهای نانو لوله کربنی مانند ماسفت (MOSCNT) ها هستند. MOSCNT ها به دلیل میزان جریان روشن-خاموش بالا مطلوب هستند اما جریان نشتی (IL) ترانزیستور به دلیل احتمال تونل زنی باند به باند (BTBT) خیلی بالاست. به منظور مقابله با این مشکل، برخی از راه حل ها از قبیل آلایش خطی یا سبک سورس و درین، گسترش سورس و درین و ضخامت اکسید نامتقارن پیشنهاد شده اند. همچنین ساختار گیت دوگانه و اثر پارامتر های سورس و درین روی مشخصه های CNTFET بررسی شده اند. علاوه بر این، هاله نوع P فرکانس قطع و تأخیر سوئیچینگ CNTFET را بدتر می کند. 

برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.

گزارش کار آزمایشگاه مدارات مجتمع خطی



امروزه مدار های دیجیتال با مدارهای مجتمع ساخته می شوند. یک مدار مجتمع ( یا آی سی ) یک کریستال کوچک نیمه هادی به نام تراشه است. که قطعات الکترونیکی را برای گیت های دیجیتال در خود دارد. اتصالات داخل تراشه مدار مورد نیاز را به وجود می آورند. تراشه در داخل یک محفظه پلاستیک و یا سرامیک جاسازی می شود و اتصالات آن با سیم های طلایی نازک به پایه های خارجی جوش داده می شود تا مدارات مجتمع به وجود آیند. 

تعداد پایه ها ممکن است از 14 پایه در بسته های کوچک تا 100 پایه یا بیشتر در بسته های بزرگتر تغییر کند. هر مدار مشترک یا آی سی دارای یک مشخصه عددی است که روی سطح بسته بندی آن برای شناسایی چاپ میشود. هر سازنده یک کتابچه راهنما یا کاتالوگ با شرح دقیق و تمام اطلاعات لازم در باره آی سی های ساخت خود را چاپ می کند. 

با پیشرفت تکنولوژی مدار های مجتمع تعداد گیت هایی که می توانست در یک تراشه جای گیرد به میزان قابل توجه ای افزایش یافت. تراشه هایی که دارای چند گیت داخلی بودند و آن دسته که چند صد گیت دارا بودند در بسته هایی با ظرفیت یا مقیاس کوچک متوسط یا بزرگ جای داده شده اند. 

مدار های مجتمع نه تنها بر اساس عملکرد منطقی شان طبقه بندی می شوند بلکه از نظر تکنولوژی خاص مدار هایی که به آن تعلق دارند نیز دسته بندی می گردند. تکنولوژی به کار رفته در مدار را خانواده منطقی دیجیتال می خوانند. هر خانواده منطقی مدار الکترونیکی پایه خاصی را داراست که مدار ها و و توابع دیجیتال پیچیده تر بر اساس آن تهیه می شوند. 
مدار پایه در هر تکنولوژی یک گیت NAND/NOR و یا معکوس کننده است. 
در نام گذاری تکنولوژی ار قطعات الکترونیکی به کار رفته در ساخت مدار پایه معمولا استفاده می شود. بسیاری از خانواده های مختلف منطقی به صورت مدار های مجنمع در سطح تجاری عرضه شده اند. متداول ترین خانواده ها در زیر معرفی شده اند:
TTL-منطق ترانزیستور -ترانزیستور
ECL-منطق کوپل امیتر
MOS-منطق فلز- اکسید- نیمه هادی
CMOS-منطق فلز - اکسید - نیمه هادی مکمل

در این گزارش کار که شامل 7 آزمایش است با نحوه کار عملی و محاسبات ریاضی مربوط به مداراتی که نامشان را در ادامه مشاهده می کنید آشنا می شوید:

بافر- مدارات تقویت کننده- فیلتر پایین گذر- محاسبه فرکانس قطع به صورت تئوری و عملی- تبدیل موج مربعی به مثلثی- یکسوساز نیم موج- یکسوساز تمام موج- تقویت کننده امیترمشترک (به همراه کلیه محاسبات تئوری و محاسبه مقاومت ورودی و خروجی)- محاسبه فرکانس قطع پایین و فرکانس قطع بالای تقویت کننده امیترمشترک- محاسبه بهره یک تقویت کننده بیس مشترک و بهره تفاضلی یک تقویت کننده تفاضلی

یک نمونه از تقویت کننده های عملیاتی آی سی 741 میباشد. یک آی سی آپ امپ از تعداد زیادی ترانزیستور و مقاومت تشکیل از نظر مدار داخلی ، طبقه اول تقویت کننده های عملیاتی شامل زوج دیفرانسیل، طبقات میانی امیتر مشترک وزوج دیفرانسیل وآخر آن کلکتور مشترک(امیتر فالور)میباشد. این آی سی ها یکی از پر کاربردترین آی سی ها در الکترونیک میباشد که کاربرد زیادی در اعمال جبری دارد.

پایه های آی سی 741 عبارتنداز:
پایه شماره 2: ورودی معکوس کننده میباشد. اگر ورودی به این پایه وصل شده باشد در خروجی معکوس ورودی دیده میشود ویا به عبارتی دیگر ورودی و خروجی 180 درجه اختلاف فاز دارند.
پایه شماره 3: ورودی غیر معکوس کننده میباشد. اگر ورودی به این پایه وصل شده باشد در خروجی هم فاز ورودی دیده میشود ویا به عبارتی دیگر ورودی و خروجی هم فاز هستند.
پایه شماره 4: تغذیه منفی میباشد.
پایه شماره 1و5: جهت صفر کردن ولتاژ offsetخروجی در کاربرردهای دقیق با اضافه کردن یک پتاسیم متر بین این پایه ها استفاده میشود. در این حالت جریان های دو ترانزیستور زوج دیفرانسیل ورودی یکسان میشوند. و ولتاژ خروجی برابر صفر خواهد شد. علت بوجود آمدن ولتاژ offset، عدم تطابق ترانزیستور های موجود زوج دیفرانسیل بکار رفته در آپ امپ میباشد.
پایه شماره 6: خروجی آی سی میباشد.
پایه شماره 7: تغذیه مثبت میباشد.
پایه شماره 8: بدون اتصال میباشد.

در این آی سی دو قانون خیلی مهم وجود دارد که به قوانین طلایی در آپ امپ معروف هستند:

قوانین طلایی op-amp:
1- به علت بهره ی بسیار بالای آپ امپ ولتاژ پایه مثبت و منفی باهم برابراند. یا اختلاف پتانسیل بین ورودی صفر است.
2- به علت مقاومت ورودی بسیار بالای آپ امپ ورودی های آپ امپ نه جریان میکشد و نه جریان میدهد.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

تماس با ما
سفارش پروژه