کاربر عزیز خوش آمدید!
|

فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET

در سال 1965 آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر شدن ابعاد مدارات، قیمت پایین تر، سرعت بالا تر و توان مصرفی پایین تر شود. پیش بینی ها توسط ITRS نشان می دهد که کوچک سازی CMOS ها در حدود سال 2018 با رسید به عرض کانال 20nm به پایان خواهد رسید.

بزرگترین مشکل برای کاهش ابعاد ترانزیستورها، مسائل اقتصادی مربوط به آنهاست. با وجودیکه این فرایند امکان ساخت مدارات و سیستم های قابل اطمینان را به ما می دهد، کاهش ابعاد، تولید ماسک های قابل اطمینان را بسیار گران می کند. به هر حال دو مشکل اساسی وجود دارند که نیاز به حل آنهاست. اول هزینه های سرسام آور و دوم محدودیت های اندازه فیزیکی. راه حل این مشکلات استفاده از فناوری نانو است. بطور مثال سیم ها، دیودها و ترانزیستور ها و... می توانند با این تکنولوژی کوچک سازی شوند. 

در این مجموعه فایل به بررسی ترانزیستور های نانو لوله کربنی CNTFET پرداخته شده و همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و بخضی از فایل های ترجمه شده، خلاصه گزارش و دو پایان نامه در این خصوص در این مجموعه قرار گرفته است.

فهرست مطالب:

مقدمه:
قانون مور
موانع کاهش ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی

نانو:
نانو لوله و انواع آن
قوس الکتریکی، CVD و تبخیر لیزری
ساختار
نمودار جریان نسبت به VGS و VDS

مقایسه:
مقایسه با دیگر افزاره ها با کانال حدود 10 نانومتر

شبیه سازی:
متدهای شبیه سازی
نرم افزار

نتیجه گیری:
ویژگی های و چالش های نانو لوله کربنی
نتیجه گیری


برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

پاورپوینت ریز پردازنده Z80


در زیر به مختصری ازعناوین و چکیده آنچه شما در این فایل دریافت می کنید اشاره شده است:

مقدمه‌ای بر ریزپردازنده‌ها

تاریخچه ریزپردازنده

اولین ریزپردازنده به وسیله شركت اینتل كه یك ریز كنترل كننده4 بیتی بوده ابداع شد.

اولین ریزپردازنده تك تراشه‌ای، ریزپردازنده Intel 4004 بود كه توانست دو عدد چهاربیتی دودویی را جمع كرده و اعمال متعددی را انجام دهد.

امكانات ریزپردازنده 4004 بسیار محدود بود به همین علت ریزپردازنده 8 بیتی (8000) تولید شد

8008 توانست اعداد 8 بیتی را به كارگیرد، همچنین اندازه حافظه را از 4096 كلمه چهاربیتی در 4004 به k16 كلمه هشت بیتی افزایش یافت.

هردوی این ریزپردازنده‌ها نیازهای روز را برطرف می‌كردند. اما با گذشت زمان و افزایش خواسته‌ها سرعت پایین آن‌ها باعث افزایش محدودیت شد.

علت سرعت كند آن‌ها (جمع 20000 عدد در ثانیه) استفاده از مدارهای منطقی PMOS (نیمه‌هادی اكسید فلز از نوع كانال p) بود.

در همان زمان مدارهای NMOS (نیمه‌هادی اكسید فلز از نوع N) به وجود آمد كه بسیار سریع‌تر از PMOS بود.

NMOS از منبع تغذیه مثبت استفاده می‌كرد و سرعت ریزپردازنده را 25 بار افزایش می‌داد، همچنین ارتباط دهی آن با مدارهای جنبی ریزپردازنده از نوع TTL بسیار آسان بود.
 
تعریف  ریزپردازنده

 ساختمان Z80

دستورالعمل‌های انتقال اطلاعات

دستورالعمل‌های حسابی و منطقی

دستورالعمل‌های كنترل برنامه

زبان اسمبلی

برنامه نویسی ساختاری شده به زبان اسمبلی

 جابه‌جایی اطلاعات و برنامه‌ نویسی حسابی

تبدیل رمزها، جستجو در جدول و تاخیرهای زمانی

آشنایی با ساختمان سیستم Z80

ارتباط دهی حافظه

ارتباط دهی ورودی- خروجی

 با استفاده از درگاه‌های موازی

ارتباط متوالی

زمان سنج قابل برنامه ریزی 8254

تبدیل‌های آنالوگ به دیجیتال و دیجیتال به آنالوگ

مقدمه‌ای بر ریزپردازنده‌های پیشرفته

فایلی که دریافت می‌کنید جدیدترین و کامل‌ترین نسخه موجود از پاورپوینت می باشد. (فایل قابل ویرایش است )

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.


سمینار کلاسی کنترل و مدیریت انرژی ساختمان


انسان ها از ابتدای خلقت به دنبال مکان هایی بودند که در آنها آرامش داشته باشند. بعد از گذشت چندین سال توانستند با اختراع وسایل بسیاری از کارها را انجام دهند. در ابتدا همه چیز به صورت دستی انجام می شد اما امروزه در پی هوشمند سازی و اتوماتیک کردن همه کارها هستیم. 

هوشمند سازی در یک ساختمان می تواند در هر یک از بخش های زیر باشد:

1- ورودی ساختمان 
2- پذیرایی
3- ناهارخوری
4- آشپزخانه
5- نشیمن
6- اتاق خواب
7- فضای مشاعات

اهداف BMS:
1- مدیریت و کنترل و نمایش سیستم
2- کاهش مصضرف سوخت و انرژی
3- بالابردن عمر مفید دستگاه ها
4- افزایش راندمان و ضریب عملکرد تجهیزات
5- اتصال به دیگر سیستم های کنترلی
6- تأمین آسایش و ایجاد فضای راحت برای ساکنین

همچنین کلیه فایلهای رفرنس، برنامه نوشته شده به زبان AVR و فایل ارائه در قالب های PDF و Powerpoint درون فایل موجود است.

 برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید. 

سمینار کلاسی بررسی تقویت کننده های LNA برای باند فرکانسی ISM


تقویت کننده کم نویز (Low Noise Amplifier) نوع خاصی از تقویت کننده های الکترونیکی است که در سیستم های مخابراتی برای تقویت سیگنال های گرفته شده از آنتن به کار می رود و اغلب در فاصله کمی از آنتن قرار می گیرد تا کاهش دامنه سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. استفاده از LNA سبب می شود که نویز طبقات بعد بوسیله بهره LNA کاهش یابد ولی نویز LNA بطور مستقیم در سیگنال دریافتی تزریق می شود. لذا پیش شرط برای تقویت کننده کم نویز آن است که در حالی که سیگنال را تقویت می کند، نویز و اختلال بسیار کمی به آن بیافزاید تا بازیابی سیگنال در طبقات بعد به نحو مطلوب صورت گیرد.

برای داشتن حداقل نویز تقویت کننده باید تقویت مطلوبی در طبقه اول خود داشته باشد بنابراین از JFET یا HEMT ها (نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحاً همان فت است و طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو کارآیی بالایی داشته باشد. از خصوصیات ویژه این ترانزیستور ضریب نویز کم در فرکانس های مایکروویو است) در طبقات اول استفاده می شود. همچنین می توان از تقویت کننده های غیر متمرکز (توزیع نشده) در طبقات اول استفاده کرد. تقویت کننده های غیر متمرکز برای راه اندازی نیاز به جریان بالایی دارند که از نقطه نظر انرژی کارآمد نیستند ولی میزان نویز را به خوبی کاهش می دهند. 
مدارهای تطبیق ورودی و خروجی برای باند باریک موجب افزایش بهره می شوند و از مقاومت معمولی در آنها استفاده نمی شود. زیرا سبب افزایش نویز می گردد. بایاس آنها توسط مقاومت های حجیم صورت میگیرد به دلیل این که بازده انرژی در اینجا مد نظر نیست و مقاومت های حجیم از نشت سیگنال ورودی به خارج از مسیر سیگنال و همچنین از نفوذ نویز در مسیر سیگنال جلوگیری می کنند.

فهرست مطالب:

مقدمه
تعاریف
خصوصیات LNA
غیر خطی بودن Nonlinearity
نقشه یک RF Receiver
پارامترهای S و FOM
CGLNA1
CGLNA2
CGLNA3
مقایسه
منابع


 برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.


فایل پاورپوینت ارائه کلاسی IGBT )Insulated gate bipolar transistor)


ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

فهرست مطالب:

مقدمه
اساس IGBT
مزایا و معایب IGBT
مقایسه IGBT با MOSFET و BJT
شباهت های IGBT با سایر افزاره ها
Trade-off
ساختار IGBT
PT و NPT
مقایسه PT و NPT
عملکرد IGBT
مشخصه خروجی
مشخصه انتقالی
نرم افزارهای شبیه سازی ادوات
توضیحاتی در خصوص Silvaco
مقالات مطالعه شده
منابع

همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.

 برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

تماس با ما
سفارش پروژه