تبلیغات
مهندس 360 | وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر
کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.

فایل ترجمه در قالب ورد و شامل 18 صفحه می باشد. 

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است. 

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.

چکیده - با استفاده از شبیه ساز افزاره دو بعدی silvaco atlas، مشخصه های فتوولتاییک یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs شبیه سازی عددی شده است. در این کار، عملکرد سلول خورشیدی InGaP/GaAs دو پیوند با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک اصلاح شده است. پیش بینی شده که با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک 110 نانومتری روی سطح سلول، بازده تغییر خواهد کرد و از 40.879% به 41.95% افزایش خواهد یافت. در نهایت، عملکرد سلول قبل و بعد از اضافه کردن لایه نازک CNT  مقایسه شد. 

تعداد صفحات: 10
فرمت: docx و pdf


ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

An effective and optimised BSF layer is an important layer in both single junction and multijunction solar cells. In this work the use of the double layer BSF for top cell with their varied thicknesses is investigated on GaInP/GaAs DJ solar cell using the computational numerical modelling TCAD tool Silvaco ATLAS. The detail photo-generation rates are determined. The major modelling stages are described and the simulation results are validated with published experimental data in order to describe the accuracy of our results produced. For this optimized cell structure, the maximum Jsc ¼ 17.33 mA/cm2, Voc ¼ 2.66 V, and fill factor (FF) ¼ 88.67% are obtained under AM1.5G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of 34.52% (1 sun) and 39.15% (1000 suns).

یک لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این کار استفاده از دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده است. مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
The presence and performance of the tunnel junction layer and back surface field (BSF) layers is the chief reason behind the high efficiency of the multi-junction solar cells. In this work, the focus is on thes election of a suitable material for the tunnel junction along with introducing a new top BSF layer. The simulation work is carried out in ATLAS TCAD. The various performance parameters like open circuit voltage (VOC), short circuit current density (JSC), fill factor (FF) and efficiency () are extracted from the proposed solar cell model and are compared with published results to ascertain the accuracy of the present work. Other parameters like the photogeneration rate, spectral response, potential developed,electric field are also determined. I–V curve and the power curve are also plotted for the proposed model.For this proposed structure VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29% and EFF = 40.879% are obtained for 1000 suns illuminated under standard AM1.5G spectrum. The obtained outputs and the modeling steps are elaborately explained.

حضور و عملکرد لایه پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. کار شبیه سازی در ATLAS SILVACO انجام شده است. پارامترهای عملکرد مختلف مانند ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده (η) از مدل سلول خورشیدی پیشنهادی استخراج شده اند و با نتایج منتشر شده قبلی مقایسه شده اند تا صحت نتایج کار فعلی را ارزیابی کنند. همچنین پارامترهای دیگری مانند نرخ تولید نوری، پاسخ طیفی، پتانسیل توسعه یافته و میدان الکتریکی نمایش شده اند. منحنی I-V و منحنی توان نیز برای مدل پیشنهادی ترسیم شده اند. برای این ساختار پیشنهادی، VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29%  و η = 40.879% تحت تابش 1000 خورشید طیف استاندارد AM1.5G بدست آمده اند. خروجی ها بدست آمده و مراحل مدلسازی به دقت توضیح داده شده اند. 

تماس با ما
سفارش پروژه