کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

An optimized BSF (Back Surface Field) is a key layer for a multi junction or single junction solar cell. In this work, two BSF layers with different thicknesses have been used in the upper and the lower cell and simulations have been done using the Silvaco ATLAS numerical modelling tools. It has been also found that in under the current matching condition with thinner upper BSF layers (160 nm, 30 nm) and a thicker lower BSF layer (1000 nm, 30 nm), JSC short circuit current density and VOC open circuit voltage and conversion efficiency solar cell is improved. Major steps of simulation and its description and results have been compared to the previously published data in order to describe accuracy of the results. By selecting the best thickness of BSF layer, the efficiency can be increased up to 15% which happens because of increase in photo-generation rates and absorption in the solar cells. This article shows some characteristics of the proposed dual junction solar cell such as photo-generation rate, short circuit current density, open circuit voltage and efficiency of the device relative to thickness of BSF layers and change in materials of tunnel junction. The results show that in case of increase in thickness of BSF, efficiency is also increased. The highest efficiency is obtained in thickness of 160 nm, then the efficiency is decreased. The values of Jsc = 23.36 mA/cm2, Voc = 2.43 V, FF = 86.76% and η = 47.78% (1 sun) have also been obtained under AM1.5G illumination in the proposed structure which shows improvement in performance of the proposed device.

یک BSF (back surface field) بهینه‌سازی شده، لایه‌ای کلیدی برای یک سلول خورشیدی چند پیوندی یا تک‌پیوندی است. در این کار، از دو لایه BSF با ضخامتهای مختلف در سلول بالایی و پایینی استفاده شده است و شبیه‌‌سازی‌ها با استفاده از ابزار مدل‌سازی عددی Silvaco ATLAS انجام شده‌اند. همچنین مشخص شده که تحت شرایط تطبیق جریان با لایه‌های BSF بالایی نازک‌تر (160nm, 30nm) و لایه BSF پایینی ضخیم‌تر (1000nm, 30nm)، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC ، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی بهبود می‌یابد. مراحل عمده شبیه‌سازی شرح و نتایج آن با داده‌های منتشر شده قبلی به‌منظور توصیف دقت و صحت نتایج حاصله مقایسه شده‌اند. با انتخاب بهتر ضخامت لایه‌ BSF، می‌توان بازده را به میزان 15% افزایش داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب توسط سلول خورشیدی است. این مقاله برخی مشخصه‌های سلول خورشیدی دو پیوندیِ پیشنهادی، مانند نرخ تولید نوری، چگالی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و بازده افزاره را نسبت به ضخامت لایه‌های BSF و تغییر مواد پیوند تونلی نشان می‌دهد. نتایج حاصله نشان می‌دهند که در صورت افزایش ضخامت BSF، بازده نیز افزایش می‌یابد. بالاترین بازده در ضخامت 160nm بدست می‌آید و پس از آن بازده کاهش می‌یابد. همچنین در ساختار پیشنهادی مقادیر Jsc= 23.36 mA/cm2، Voc= 2.43 V، FF=86.76% و η=47.78% (1 sun) تحت نور AM1.5G بدست آمده‌اند که نشان‌دهنده بهبود عملکرد افزاره پیشنهادی می‌باشد. 

جزوه کامل الکترونیک 3

جزوه کامل الکترونیک 3

الکترونیک ۳ یکی از دروس رشته برق و گرایش الکترونیک است. این جزوه که در 54 صفحه منتشر شده شامل مباحثی به شرح زیر می باشد. 

فهرست مطالب: 

مدل هیبرید ترانزیستور
مدل π
رفتار فرکانسی مدارای یک طبقه
بررسی رفتار فرکانسی C.E (امیتر مشترک)
محاسبه تعداد قطب ها 
تابع تبدیل امیتر مشترک
قضیه میلر
تقویت کننده کلکتور مشترک C.C
محاسبه امپدانس ورودی
محاسبه امپدانس خروجی
رفتار فرکانسی C.B (بیس مشترک)
آرایش کاسکود
مدارهای چند طبقه
محاسبه مدار معادل فرکانسی
روش ثابت زمانی صفر 
فیدبک
رسم دیاگرام فاز
بررسی پایداری سیستم
جبران سازی
MOSFET
مدار معادل سیگنال کوچک ماسفت
اثر بدنه (body effect)
اثر خازنی
ترانزیستور ماسفت به صورت اتصال دیودی
ترانزیستور BJT به صورت اتصال دیودی
محاسبه گین ولتاژ در یک مدار
مقاومت خروجی cascade
تقویت کننده درین مشترک
تقویت کننده گیت مشترک
ساختار CASCODE
مقاومت خروجی در کاسکود
سورس مشترک با اثر بدنه
بدست آوردن بهره مدار

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آز مدارهای الکتریکی که در این پست قرار دادیم بصورت کاملاً تایپ شده، در قالب pdf و در 49 صفحه ارائه شده است. این درس بعد از گذراندن درس مدارهای الکتریکی ارائه می شود که به بررسی عملی و آزمایش مدارهای الکتریکی می پردازد.

فهرست مطالب:

آشنایی با اسیلوسکوپ
مدارهای اصلی اسیلوسکوپ
تنظیمات پایه
کلید MODE
کنترل زمان
کنترل ولتاژ یا دامنه
اندازه گیری اختلاف پتانسیل
اندازه گیری اختلاف فاز
انتخاب وضعیت های DC, AC, GND
آزمایش شماره 1 - اندازه گیری ولتاژ مدار های سری  و موازی + محاسبات ریاضی
آزمایش شماره 2 - تحلیل مدار RC  (با ورودی DC) + محاسبات ریاضی (از راه مشتق)
آزمایش شماره 3 - تحلیل مدار RC  (با ورودی مربعی)+ محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 4 - تحلیل مدار RC + محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 5 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 6 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 7 - اندازه گیری اختلاف فاز + محاسبات ریاضی
پیوست 1 - محاسبات ریاضی مدار RL سری
پیوست 2 - محاسبات ریاضی ولتاژ خازن ها در یک مدار
پیوست 3 - محاسبات ریاضی مدار RC ساده (از راه مشتق)
پیوست 4 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
پیوست 5 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
منابع

آموزش نرم افزار ORCAD CAPTURE همراه با مثال های کاربردی

آموزش نرم افزار ORCAD CAPTURE همراه با مثال های کاربردی

همانطور که می دانید نرم افزار OrCad Capture برای تحلیل های الکترونیکی بسیار قدرتمند است. برای مثال شما می توانید ولتاژ و چریان گره ها مسیرهای مختلف مدار را در حالت های AC و DC تحلیل کرده و بدست آورید. بنابراین با در اختیار داشتن یک آموزش ساده به راحتی می توانید از پس مشکلاتی که در رابطه با کار با این نرم افزار پیش رویتان قرار می گیرد برآیید. این کتاب شامل فصول زیر است:

ایجاد پروژه و ترسیم مدار
تحلیل نقطه کار DC
تحلیل DC SWEEP
تحلیل AC SWEEP
تحلیل Time Domain
تغییر دمای شبیه سازی

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

Abstract
Reducing the recombination rate and increasing the photo-generation rate play a very significant role in improving the performance of the solar cells. In this research, AlGaAs has been used instead of GaAs in emitter layer with reduction in thicknesses of the base in order to decrease the recombination rate and increase the efficiency of the proposed solar cell. In addition, tunnel junction, buffer junction and BSF layers have been optimized to achieve higher efficiency. The efficiency can be improved by selecting optimal thickness of the materials because of the increase in photo-generation rate and absorption rate, improving transparency of the tunnel area and reducing the recombination rates of the solar cells. The results showed that after optimization, JSC (short circuit current density), VOC (open circuit voltage) and the η (conversion efficiency) of the solar cell are clearly increased. Also, the results of simulation were compared to the other designs in order to compare its performance. In the proposed structure, values of Voc= 2.52 V, Jsc= 29.09 mA/cm2, FF=86.49% and η= 62.04% (1 sun) are obtained under AM1.5G illumination.  

چکیده
کاهش نرخ بازترکیب و افزایش نرخ تولید نوری نقش بسیار پر رنگی در بهبود عملکرد سلول‌های خورشیدی بر عهده دارند. در این پژوهش، از AlGaAs به جای امیتر GaAs همراه با کاهش ضخامت بیس به منظور کاهش نرخ بازترکیب و افزایش بازده سلول خورشیدی پیشنهادی، استفاده شده است. بعلاوه برای رسیدن به بازده بیشتر لایه‌های BSF، پیوند تونلی و بافر بهینه‌سازی شده‌اند. با انتخاب ضخامت بهینه مواد، می‌توان بازده را بهبود داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب، بهبود شفافیت ناحیه تونلی و کاهش نرخ بازترکیب سلول خورشیدی است. نتایج حاصله نشان دادند که پس از بهینه‌سازی، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی به وضوح افزایش می‌یابند. همچنین در پایان، نتایج شبیه‌سازی این طرح با سایر طرح‌ها به‌منظور مقایسه عملکرد آن مقایسه شده است. در ساختار پیشنهادی، مقادیر Voc= 2.52 V، Jsc= 29.09 mA/cm2، FF=86.49% و η=62.04% (1 sun) تحت تابش AM1.5G بدست آمده‌اند. 

تماس با ما
سفارش پروژه