تبلیغات
دانلود جزوات آموزشی - شبیه سازی با سیلواکو

HOME

ترجمه مقاله: Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

  • جمعه 21 خرداد 1395

  • After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

    پس از کشف نانولوله های کربنی (CNT) ها توسط ایجیما، تحقیقات علمی در مورد این ساختار با توجه به خواص الکترونیکی بسیار عالی آن گسترش یافت. یکی از خواص مهم این ساختار انتقال شبه بالستیک با تحرک حامل بالا است. با استفاده از نانو لوله های کربنی، دو نوع ترانزیستور اثر میدانی تشریح شده است. نوع اول ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی سد شاتکی (SB-CNTFET) است و نوع دوم ترانزیستورهای نانو لوله کربنی مانند ماسفت (MOSCNT) ها هستند. MOSCNT ها به دلیل میزان جریان روشن-خاموش بالا مطلوب هستند اما جریان نشتی (IL) ترانزیستور به دلیل احتمال تونل زنی باند به باند (BTBT) خیلی بالاست. به منظور مقابله با این مشکل، برخی از راه حل ها از قبیل آلایش خطی یا سبک سورس و درین، گسترش سورس و درین و ضخامت اکسید نامتقارن پیشنهاد شده اند. همچنین ساختار گیت دوگانه و اثر پارامتر های سورس و درین روی مشخصه های CNTFET بررسی شده اند. علاوه بر این، هاله نوع P فرکانس قطع و تأخیر سوئیچینگ CNTFET را بدتر می کند. 

    برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.
  • CNTFET - ترجمه مقاله - فرکانس قطع - نانولوله های کربنی - شاتکی - SB-CNTFET - ترانزیستور اثر میدانی - 

فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET

  • شنبه 1 خرداد 1395
  • در سال 1965 آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر شدن ابعاد مدارات، قیمت پایین تر، سرعت بالا تر و توان مصرفی پایین تر شود. پیش بینی ها توسط ITRS نشان می دهد که کوچک سازی CMOS ها در حدود سال 2018 با رسید به عرض کانال 20nm به پایان خواهد رسید.

    بزرگترین مشکل برای کاهش ابعاد ترانزیستورها، مسائل اقتصادی مربوط به آنهاست. با وجودیکه این فرایند امکان ساخت مدارات و سیستم های قابل اطمینان را به ما می دهد، کاهش ابعاد، تولید ماسک های قابل اطمینان را بسیار گران می کند. به هر حال دو مشکل اساسی وجود دارند که نیاز به حل آنهاست. اول هزینه های سرسام آور و دوم محدودیت های اندازه فیزیکی. راه حل این مشکلات استفاده از فناوری نانو است. بطور مثال سیم ها، دیودها و ترانزیستور ها و... می توانند با این تکنولوژی کوچک سازی شوند. 

    در این مجموعه فایل به بررسی ترانزیستور های نانو لوله کربنی CNTFET پرداخته شده و همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و بخضی از فایل های ترجمه شده، خلاصه گزارش و دو پایان نامه در این خصوص در این مجموعه قرار گرفته است.

    فهرست مطالب:

    مقدمه:
    قانون مور
    موانع کاهش ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی

    نانو:
    نانو لوله و انواع آن
    قوس الکتریکی، CVD و تبخیر لیزری
    ساختار
    نمودار جریان نسبت به VGS و VDS

    مقایسه:
    مقایسه با دیگر افزاره ها با کانال حدود 10 نانومتر

    شبیه سازی:
    متدهای شبیه سازی
    نرم افزار

    نتیجه گیری:
    ویژگی های و چالش های نانو لوله کربنی
    نتیجه گیری


    برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
  • CNT - JL-CNTFET - CNTFET - ترانزیستور نانولوله کربنی - نانو لوله - نانوسیم - قانون مور - 

جزوه مفاهیم پایه سیستم عامل

  • یکشنبه 5 اردیبهشت 1395

  • سیستم‌عامل یا سامانهٔ عامل  نرم‌افزاری است که مدیریت منابع رایانه را به عهده گرفته و بستری را فراهم می‌سازد که نرم‌افزار کاربردی اجرا شده و از خدمات آن استفاده کنند. سیستم‌عامل خدماتی به برنامه‌های کاربردی و کاربر ارائه می‌دهد. برنامه‌های کاربردی یا از طریق واسط‌های برنامه نویسی کاربردی (Application User Interface-APIs) و یا از طرق فراخوانی‌های سیستم (system call) به این خدمات دسترسی دارند. با فراخوانی این واسط‌ها، برنامه‌های کاربردی می‌توانند سرویسی را از سیستم‌عامل درخواست کنند، پارامترها را انتقال دهند، و پاسخ عملیات را دریافت کنند. ممکن است کاربران با بعضی انواع واسط کاربری نرم‌افزار مثل واسط خط فرمان (Command Line Interface-CLI) یا یک واسط گرافیکی کاربر (Graphical User Interface-GUI) با سیستم‌عامل تعامل کنند. برای کامپیوترهای دستی و رومیزی، عموما واسط کاربری به عنوان بخشی از سیستم‌عامل در نظر گرفته می‌شود. در سیستم‌های بزرگ و چند کاربره مثل یونیکس و سیستم‌های شبیه یونیکس، واسط کاربری معمولاً به عنوان یک برنامه کاربردی که خارج از سیستم‌عامل اجرا می‌شود پیاده سازی می‌شود.

    نام نویسنده : رضا بهرامی راد

    برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.
  • سیستم عامل - مفاهیم سیستم عامل - جزوه سیستم عامل - GUI - واسط گرافیکی کاربر - کامپیوتر - 

کتاب الکترونیکی آموزش نرم افزار سیلواکو به زبان فارسی

  • پنجشنبه 2 اردیبهشت 1395

  • کتاب آموزش نرم افزار سیلواکو به صورت الکترونیکی به زبان فارسی در فروشگاه وبلاگ قرار داده شده است. این کتاب شامل ۱۵۰ صفحه و شامل فصل های زیر می باشد:

    فصل اول: طراحی به کمک کامپیوتر در ادوات نیمه هادی

    فصل دوم: نصب نرم افزار سیلواکو

    فصل سوم: ابزار ATHENA

    فصل چهارم: ابزار ATLAS

    فصل پنجم: پروژه ها


    فهرست مطالب کتاب

    فصل ۱: طراحی به کمک کامپیوتر (TCAD) برای ادوات نیمه­ هادی

    ۱-۲- معرفی نرم­ افزارهای طراحی به کمک رایانه

    ۱-۳- تاریخچه مختصری از شرکت سیلواکو و محصولات آن

    فصل ۲: نصب نرم ­افزار سیلواکو

    ۱-۲-مقدمه

    ۲-۲- نصب برنامه

    ۲-۳- معرفی محیط برنامه.

    ۲-۴- استفاده از HELP نرم­ افزار

    چگونگی شروع کار با مثال های نرم افزار

    فصل ۳: شبیه­ سازی فرآیند ساخت ادوات نیمه­ هادی  با نرم­افزار (Process Simulation)

    ۳-۱- مقدمه

    ۳-۲- شبیه­ سازی فرآیند ساخت یک دیود ساده با ابزارATHENA

    ۳-۳- مرور فرآیندهای مهم در ساخت ادوات نیمه ­هادی:

    ۳-۳-۱اکسیداسیون Oxidation

    ۳-۳-۲نفوذ. Diffusion

    ۳-۳-۳-کاشت یونی Ion Implantation

    ۳-۴- لایه ­نشانی 

    ۳-۵- لایه اپی تکسی Epitaxial Growth

    ۳-۶- زدایش Etching Processes

    فصل ۴:نرم افزار  ATLAS 

    ۴-۱- مقدمه 

    ۴-۲- کلیات دستورات ATLAS  mesh, region, electrode, dopingmaterial, models, interface, contactmethodlog, save, solve,load, tonyplot, extract

    رسم نمودار دیاگرام باند در اتلس

    ۴-۳- تعیین مدل های فیزیکی 

    شبیه سازی ولتاژ شکست دیود

    ۴-۴- پروژه ۱ (شبیه سازی ترانزیستور GaN HEMT/ابزار GiGa و Blaze/نحوه بدست آوردن نمودار gm در اتلس/نمودار فرکانس قطع ft و فرکانس ماکزیمم نوسان fmax/تحلیل حالت گذرا/ پارامتر S)

    ۴-۵- پروژه ۲ (شبیه سازی با MixeMode/شبیه سازی اینورتر/شبیه سازی ماسفت)

    ۴-۶- دلایل عدم همگرایی 

    ۴-۷- منابع مطالعاتی بیشتر 

    برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

  • سیلواکو - Tcad - silvaco - ATHENA - دیفیوژن - اکسیداسیون - کتاب آموزش سیلواکو - 

دوره آموزشی پاورپوینت حرفه ای با رویکرد ارائه های علمی

  • پنجشنبه 19 فروردین 1395

  • دوره آموزشی طراحی و ارائه اسلایدهای حرفه ای در نرم افزار پاورپوینت(نکات تکنیکی، بصری و روانشناختی با رویکرد ارائه های علمی)

    این دوره آموزشی، دوره یادگیری نرم افزار پاورپوینت نیست بلکه اصول روانشناختی، بصری و تکنیکی را برای طراحی اسلایدها در نرم افزار پاورپوینت را بررسی می کند. مدت زمان این دوره آموزشی هشت ساعت و سی  دقیقه می باشد که بخش اول دوره آموزشی (اصول روانشناختی در طراحی و ارائه پاورپوینت) را می توانید همین الان به صورت رایگان دانلود کنید.  

    برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
  • دوره آموزشی پاورپوینت - powerpoint - office - پرزنتیشن - presentation - اسلاید - 
دسته ها
اخبار داغ
پیوند ها

PROJECTS

شبیه سازی با سیلواکو

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • silvaco simulation - شبیه سازی سیلواکو
  • اکثرا دانشجویان در انجام شبیه سازی پروژه سیلواکو با مشکل مواجه هستند و به دنبال یک مکان مطمئن جهت انجام این پروژه ها می باشند.
    مهندس 360 با داشتن برترین برنامه نویسان ایران آمادگی دارد انجام پروژه های شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو Silvaco را با بهترین کیفیت انجام داده و در اختیار شما عزیزان قرار دهد.
  • نحوه سفارش پروژه: برای سفارش انجام پروژه های سیلواکو Silvaco می توانید از طریق شماره تماس 09377750859 اقدام نمایید. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن پروژه شما را بررسی کرده و خدمت شما اطلاع خواهند داد.
  • زمان انجام پروژه: زمان انجام پروژه های سیلواکو Silvaco با توجه به زمانی که مشتری تعیین میکند انجام میشود و سعی بر این بوده که در کوتاه ترین زمان ممکن پروژه خود را دریافت کنید
دسته ها
اخبار داغ
پیوند ها

HELP

راهنمای دانلود از سایت

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • این صفحه در حال ساخت می باشد
  • این صفحه در حال ساخت می باشد.

CONTACT US

درباره ما

  • آمار مخاطبان صفحه رسمی سایت «مهندس 360» از مرز هفتصد هزار فراتر رفت. صفحه این سایت در اینستاگرام، فیسبوک، توییتر، گوگل پلاس و کلوب دات کام فعالیت خود را به طور رسمی آغاز نموده است.
  • در طول مدت راه اندازی سایت مهندس 360، مطالب آموزشی بسیار زیادی جهت استفاده شما دانشجویان و دانش آموزان گرامی به اشتراک گذاشته شده است. بخش هایی نظیر دانلود کتاب، جزوه، آموزش برنامه نویسی، آموزش نرم افزار و... تنها بخشی از مطالبی است که تاکنون با استقبال شما کاربران گرامی مواجه شده است.
  • صفحات رسمی ما در شبکه های اجتماعی مختلف جهت رفاه حال شما کاربران عزیز فعالیت دارند و انتشار مطالب سایت از این شبکه ها نیز انجام می شود. این اتفاق بدون همراهی شما ممکن نبود و با دلگرمی به این حضور، وظایفی که بر دوش این مجموعه است انجام خواهد شد.

تماس با ما

Contact Us extended form
تعویض عبارت تصویری
عبارت تصویر: