کاربر عزیز خوش آمدید!
|

جزوه کامل الکترونیک 3

جزوه کامل الکترونیک 3

الکترونیک ۳ یکی از دروس رشته برق و گرایش الکترونیک است. این جزوه که در 54 صفحه منتشر شده شامل مباحثی به شرح زیر می باشد. 

فهرست مطالب: 

مدل هیبرید ترانزیستور
مدل π
رفتار فرکانسی مدارای یک طبقه
بررسی رفتار فرکانسی C.E (امیتر مشترک)
محاسبه تعداد قطب ها 
تابع تبدیل امیتر مشترک
قضیه میلر
تقویت کننده کلکتور مشترک C.C
محاسبه امپدانس ورودی
محاسبه امپدانس خروجی
رفتار فرکانسی C.B (بیس مشترک)
آرایش کاسکود
مدارهای چند طبقه
محاسبه مدار معادل فرکانسی
روش ثابت زمانی صفر 
فیدبک
رسم دیاگرام فاز
بررسی پایداری سیستم
جبران سازی
MOSFET
مدار معادل سیگنال کوچک ماسفت
اثر بدنه (body effect)
اثر خازنی
ترانزیستور ماسفت به صورت اتصال دیودی
ترانزیستور BJT به صورت اتصال دیودی
محاسبه گین ولتاژ در یک مدار
مقاومت خروجی cascade
تقویت کننده درین مشترک
تقویت کننده گیت مشترک
ساختار CASCODE
مقاومت خروجی در کاسکود
سورس مشترک با اثر بدنه
بدست آوردن بهره مدار

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آز مدارهای الکتریکی که در این پست قرار دادیم بصورت کاملاً تایپ شده، در قالب pdf و در 49 صفحه ارائه شده است. این درس بعد از گذراندن درس مدارهای الکتریکی ارائه می شود که به بررسی عملی و آزمایش مدارهای الکتریکی می پردازد.

فهرست مطالب:

آشنایی با اسیلوسکوپ
مدارهای اصلی اسیلوسکوپ
تنظیمات پایه
کلید MODE
کنترل زمان
کنترل ولتاژ یا دامنه
اندازه گیری اختلاف پتانسیل
اندازه گیری اختلاف فاز
انتخاب وضعیت های DC, AC, GND
آزمایش شماره 1 - اندازه گیری ولتاژ مدار های سری  و موازی + محاسبات ریاضی
آزمایش شماره 2 - تحلیل مدار RC  (با ورودی DC) + محاسبات ریاضی (از راه مشتق)
آزمایش شماره 3 - تحلیل مدار RC  (با ورودی مربعی)+ محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 4 - تحلیل مدار RC + محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 5 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 6 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 7 - اندازه گیری اختلاف فاز + محاسبات ریاضی
پیوست 1 - محاسبات ریاضی مدار RL سری
پیوست 2 - محاسبات ریاضی ولتاژ خازن ها در یک مدار
پیوست 3 - محاسبات ریاضی مدار RC ساده (از راه مشتق)
پیوست 4 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
پیوست 5 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
منابع

آموزش نرم افزار ORCAD CAPTURE همراه با مثال های کاربردی

آموزش نرم افزار ORCAD CAPTURE همراه با مثال های کاربردی

همانطور که می دانید نرم افزار OrCad Capture برای تحلیل های الکترونیکی بسیار قدرتمند است. برای مثال شما می توانید ولتاژ و چریان گره ها مسیرهای مختلف مدار را در حالت های AC و DC تحلیل کرده و بدست آورید. بنابراین با در اختیار داشتن یک آموزش ساده به راحتی می توانید از پس مشکلاتی که در رابطه با کار با این نرم افزار پیش رویتان قرار می گیرد برآیید. این کتاب شامل فصول زیر است:

ایجاد پروژه و ترسیم مدار
تحلیل نقطه کار DC
تحلیل DC SWEEP
تحلیل AC SWEEP
تحلیل Time Domain
تغییر دمای شبیه سازی

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

Abstract
Reducing the recombination rate and increasing the photo-generation rate play a very significant role in improving the performance of the solar cells. In this research, AlGaAs has been used instead of GaAs in emitter layer with reduction in thicknesses of the base in order to decrease the recombination rate and increase the efficiency of the proposed solar cell. In addition, tunnel junction, buffer junction and BSF layers have been optimized to achieve higher efficiency. The efficiency can be improved by selecting optimal thickness of the materials because of the increase in photo-generation rate and absorption rate, improving transparency of the tunnel area and reducing the recombination rates of the solar cells. The results showed that after optimization, JSC (short circuit current density), VOC (open circuit voltage) and the η (conversion efficiency) of the solar cell are clearly increased. Also, the results of simulation were compared to the other designs in order to compare its performance. In the proposed structure, values of Voc= 2.52 V, Jsc= 29.09 mA/cm2, FF=86.49% and η= 62.04% (1 sun) are obtained under AM1.5G illumination.  

چکیده
کاهش نرخ بازترکیب و افزایش نرخ تولید نوری نقش بسیار پر رنگی در بهبود عملکرد سلول‌های خورشیدی بر عهده دارند. در این پژوهش، از AlGaAs به جای امیتر GaAs همراه با کاهش ضخامت بیس به منظور کاهش نرخ بازترکیب و افزایش بازده سلول خورشیدی پیشنهادی، استفاده شده است. بعلاوه برای رسیدن به بازده بیشتر لایه‌های BSF، پیوند تونلی و بافر بهینه‌سازی شده‌اند. با انتخاب ضخامت بهینه مواد، می‌توان بازده را بهبود داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب، بهبود شفافیت ناحیه تونلی و کاهش نرخ بازترکیب سلول خورشیدی است. نتایج حاصله نشان دادند که پس از بهینه‌سازی، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی به وضوح افزایش می‌یابند. همچنین در پایان، نتایج شبیه‌سازی این طرح با سایر طرح‌ها به‌منظور مقایسه عملکرد آن مقایسه شده است. در ساختار پیشنهادی، مقادیر Voc= 2.52 V، Jsc= 29.09 mA/cm2، FF=86.49% و η=62.04% (1 sun) تحت تابش AM1.5G بدست آمده‌اند. 

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.

چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز ، جریان اتصال کوتاه ، حداکثر توان ، ضریب پری  و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست. 

تماس با ما
سفارش پروژه
ساخت وبلاگ در میهن بلاگ

شبکه اجتماعی فارسی کلوب | ساخت وبلاگ صوتی صدالاگ | سوال و جواب و پاسخ | رسانه فروردین، تبلیغات اینترنتی، رپرتاژ، بنر، سئو | Buy Website Traffic