کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

An effective and optimised BSF layer is an important layer in both single junction and multijunction solar cells. In this work the use of the double layer BSF for top cell with their varied thicknesses is investigated on GaInP/GaAs DJ solar cell using the computational numerical modelling TCAD tool Silvaco ATLAS. The detail photo-generation rates are determined. The major modelling stages are described and the simulation results are validated with published experimental data in order to describe the accuracy of our results produced. For this optimized cell structure, the maximum Jsc ¼ 17.33 mA/cm2, Voc ¼ 2.66 V, and fill factor (FF) ¼ 88.67% are obtained under AM1.5G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of 34.52% (1 sun) and 39.15% (1000 suns).

یک لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این کار استفاده از دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده است. مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
The presence and performance of the tunnel junction layer and back surface field (BSF) layers is the chief reason behind the high efficiency of the multi-junction solar cells. In this work, the focus is on thes election of a suitable material for the tunnel junction along with introducing a new top BSF layer. The simulation work is carried out in ATLAS TCAD. The various performance parameters like open circuit voltage (VOC), short circuit current density (JSC), fill factor (FF) and efficiency () are extracted from the proposed solar cell model and are compared with published results to ascertain the accuracy of the present work. Other parameters like the photogeneration rate, spectral response, potential developed,electric field are also determined. I–V curve and the power curve are also plotted for the proposed model.For this proposed structure VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29% and EFF = 40.879% are obtained for 1000 suns illuminated under standard AM1.5G spectrum. The obtained outputs and the modeling steps are elaborately explained.

حضور و عملکرد لایه پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. کار شبیه سازی در ATLAS SILVACO انجام شده است. پارامترهای عملکرد مختلف مانند ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده (η) از مدل سلول خورشیدی پیشنهادی استخراج شده اند و با نتایج منتشر شده قبلی مقایسه شده اند تا صحت نتایج کار فعلی را ارزیابی کنند. همچنین پارامترهای دیگری مانند نرخ تولید نوری، پاسخ طیفی، پتانسیل توسعه یافته و میدان الکتریکی نمایش شده اند. منحنی I-V و منحنی توان نیز برای مدل پیشنهادی ترسیم شده اند. برای این ساختار پیشنهادی، VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29%  و η = 40.879% تحت تابش 1000 خورشید طیف استاندارد AM1.5G بدست آمده اند. خروجی ها بدست آمده و مراحل مدلسازی به دقت توضیح داده شده اند. 

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

An optimized BSF (Back Surface Field) is a key layer for a multi junction or single junction solar cell. In this work, two BSF layers with different thicknesses have been used in the upper and the lower cell and simulations have been done using the Silvaco ATLAS numerical modelling tools. It has been also found that in under the current matching condition with thinner upper BSF layers (160 nm, 30 nm) and a thicker lower BSF layer (1000 nm, 30 nm), JSC short circuit current density and VOC open circuit voltage and conversion efficiency solar cell is improved. Major steps of simulation and its description and results have been compared to the previously published data in order to describe accuracy of the results. By selecting the best thickness of BSF layer, the efficiency can be increased up to 15% which happens because of increase in photo-generation rates and absorption in the solar cells. This article shows some characteristics of the proposed dual junction solar cell such as photo-generation rate, short circuit current density, open circuit voltage and efficiency of the device relative to thickness of BSF layers and change in materials of tunnel junction. The results show that in case of increase in thickness of BSF, efficiency is also increased. The highest efficiency is obtained in thickness of 160 nm, then the efficiency is decreased. The values of Jsc = 23.36 mA/cm2, Voc = 2.43 V, FF = 86.76% and η = 47.78% (1 sun) have also been obtained under AM1.5G illumination in the proposed structure which shows improvement in performance of the proposed device.

یک BSF (back surface field) بهینه‌سازی شده، لایه‌ای کلیدی برای یک سلول خورشیدی چند پیوندی یا تک‌پیوندی است. در این کار، از دو لایه BSF با ضخامتهای مختلف در سلول بالایی و پایینی استفاده شده است و شبیه‌‌سازی‌ها با استفاده از ابزار مدل‌سازی عددی Silvaco ATLAS انجام شده‌اند. همچنین مشخص شده که تحت شرایط تطبیق جریان با لایه‌های BSF بالایی نازک‌تر (160nm, 30nm) و لایه BSF پایینی ضخیم‌تر (1000nm, 30nm)، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC ، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی بهبود می‌یابد. مراحل عمده شبیه‌سازی شرح و نتایج آن با داده‌های منتشر شده قبلی به‌منظور توصیف دقت و صحت نتایج حاصله مقایسه شده‌اند. با انتخاب بهتر ضخامت لایه‌ BSF، می‌توان بازده را به میزان 15% افزایش داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب توسط سلول خورشیدی است. این مقاله برخی مشخصه‌های سلول خورشیدی دو پیوندیِ پیشنهادی، مانند نرخ تولید نوری، چگالی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و بازده افزاره را نسبت به ضخامت لایه‌های BSF و تغییر مواد پیوند تونلی نشان می‌دهد. نتایج حاصله نشان می‌دهند که در صورت افزایش ضخامت BSF، بازده نیز افزایش می‌یابد. بالاترین بازده در ضخامت 160nm بدست می‌آید و پس از آن بازده کاهش می‌یابد. همچنین در ساختار پیشنهادی مقادیر Jsc= 23.36 mA/cm2، Voc= 2.43 V، FF=86.76% و η=47.78% (1 sun) تحت نور AM1.5G بدست آمده‌اند که نشان‌دهنده بهبود عملکرد افزاره پیشنهادی می‌باشد. 

جزوه کامل الکترونیک 3

جزوه کامل الکترونیک 3

الکترونیک ۳ یکی از دروس رشته برق و گرایش الکترونیک است. این جزوه که در 54 صفحه منتشر شده شامل مباحثی به شرح زیر می باشد. 

فهرست مطالب: 

مدل هیبرید ترانزیستور
مدل π
رفتار فرکانسی مدارای یک طبقه
بررسی رفتار فرکانسی C.E (امیتر مشترک)
محاسبه تعداد قطب ها 
تابع تبدیل امیتر مشترک
قضیه میلر
تقویت کننده کلکتور مشترک C.C
محاسبه امپدانس ورودی
محاسبه امپدانس خروجی
رفتار فرکانسی C.B (بیس مشترک)
آرایش کاسکود
مدارهای چند طبقه
محاسبه مدار معادل فرکانسی
روش ثابت زمانی صفر 
فیدبک
رسم دیاگرام فاز
بررسی پایداری سیستم
جبران سازی
MOSFET
مدار معادل سیگنال کوچک ماسفت
اثر بدنه (body effect)
اثر خازنی
ترانزیستور ماسفت به صورت اتصال دیودی
ترانزیستور BJT به صورت اتصال دیودی
محاسبه گین ولتاژ در یک مدار
مقاومت خروجی cascade
تقویت کننده درین مشترک
تقویت کننده گیت مشترک
ساختار CASCODE
مقاومت خروجی در کاسکود
سورس مشترک با اثر بدنه
بدست آوردن بهره مدار

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آز مدارهای الکتریکی که در این پست قرار دادیم بصورت کاملاً تایپ شده، در قالب pdf و در 49 صفحه ارائه شده است. این درس بعد از گذراندن درس مدارهای الکتریکی ارائه می شود که به بررسی عملی و آزمایش مدارهای الکتریکی می پردازد.

فهرست مطالب:

آشنایی با اسیلوسکوپ
مدارهای اصلی اسیلوسکوپ
تنظیمات پایه
کلید MODE
کنترل زمان
کنترل ولتاژ یا دامنه
اندازه گیری اختلاف پتانسیل
اندازه گیری اختلاف فاز
انتخاب وضعیت های DC, AC, GND
آزمایش شماره 1 - اندازه گیری ولتاژ مدار های سری  و موازی + محاسبات ریاضی
آزمایش شماره 2 - تحلیل مدار RC  (با ورودی DC) + محاسبات ریاضی (از راه مشتق)
آزمایش شماره 3 - تحلیل مدار RC  (با ورودی مربعی)+ محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 4 - تحلیل مدار RC + محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)
آزمایش شماره 5 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 6 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی
آزمایش شماره 7 - اندازه گیری اختلاف فاز + محاسبات ریاضی
پیوست 1 - محاسبات ریاضی مدار RL سری
پیوست 2 - محاسبات ریاضی ولتاژ خازن ها در یک مدار
پیوست 3 - محاسبات ریاضی مدار RC ساده (از راه مشتق)
پیوست 4 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
پیوست 5 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)
منابع

تماس با ما
سفارش پروژه