ورود/ثبت نام

وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

دسته بندی: ترجمه مقاله لیزر و اپتیک
ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer
Mohandes360.ir
6 4 1399

An effective and optimised BSF layer is an important layer in both single junction and multijunction solar cells. In this work the use of the double layer BSF for top cell with their varied thicknesses is investigated on GaInP/GaAs DJ solar cell using the computational numerical modelling TCAD tool Silvaco ATLAS. The detail photo-generation rates are determined. The major modelling stages are described and the simulation results are validated with published experimental data in order to describe the accuracy of our results produced. For this optimized cell structure, the maximum Jsc ¼ 17.33 mA/cm2, Voc ¼ 2.66 V, and fill factor (FF) ¼ 88.67% are obtained under AM1.5G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of 34.52% (1 sun) and 39.15% (1000 suns).

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
Mohandes360.ir
5 4 1399

Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.
 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

دسته بندی: ترجمه مقاله
تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
Mohandes360.ir
29 3 1399

مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
Mohandes360.ir
29 3 1399

An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.
 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین