وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

انرژی خورشیدی یکی از پاک ترین و در دسترس ترین منابع انرژی برق در کره زمین و به خصوص مناطقی با تابش بالای سالانه پرتوهای خورشیدی، مثل کشور ایران می باشد. انرژی خورشیدی از تبدیل فوتون‌های نور خورشیدی که حامل انرژی بسیار زیاد و نا متناهی می باشند بدست می‌ آید و از این رو تا زمانی که خورشیدی به تابش خود ادامه دهد، انرژی خورشیدی و انرژی برق سولار رایگان در دسترس عموم می باشد.
 

تاکنون مطالب زیادی در خصوص مدلسازی عملکرد افزاره‌ها و شبیه‌سازی رفتارشان منتشر شده‌اند که تقریباً تمام ابعاد مدلسازی، از سطوح میکروسکوپی الکتریکی تا سطوح میکروسکوپی مولکولی، را پوشش می‌دهند. البته اغلب مطالب این کتب آموزشی به صورت کلی گفته شده و مطالب ریز مربوط به نحوه شبیه‌سازی در آن نادیده گرفته شده‌اند. بنابراین نیاز است که مدل‌ها به‌صورت دقیق‌تر بررسی شده تا درک بهتری از موضوع حاصل شود. نکته دیگری که در بعضی از آموزش‌ها مشاهده می‌شود این است که در آنها اشکالات برنامه نویسی دیده می‌شود و مشکلات مهم مربوط به نحوه نوشتن کدها در سیلواکو ناگفته مانده‌اند. این امر موجب شده تا روند یادگیری این برنامه با کندی مواجه شده و گهگاه خواننده کتاب از ادامه کار منصرف شود. به‌علاوه هر یک از خطاهای شبیه‌سازی می‌تواند محقق را مشغول پارامترهای جزیی زیادی کند که سردرگمی فراوانی را به‌دنبال خواهد داشت. تمام موارد فوق موجب می‌شوند تا شبیه‌سازی کامل یک افزاره، کاری بسیار طاقت فرسا باشد.

به تازگی انرژیهای تجدیدپذیر به دلیل مزیتهای غالب خود در مقایسه با انرژیهای فسیلی، توجه زیادی را به خود جلب کرده‌اند. مصرف برق جهان بین 12 تا 13 ترا وات در سال است و با رشد جمعیت افزایش می‌یابد. منابع اصلی برای مصرف انرژی سوختهای فسیلی هستند که با توجه به انتشار بیش از حد گازهای گلخانه ای، استفاده از آنها به زیان محیط زیست می‌باشد. یک جایگزین مناسب برای مصرف سوختهای فسیلی استفاده از فتوولتاییک (PV) یا سلولهای خورشیدی است. انـرژی خورشیـدی که در یک سـاعت به اتمسفـر می‌رسد برای تأمیـن تقاضای انرژی یک سال جهان کافی است. بزرگترین عامل بازدارنده برای استفاده از سلولهای خورشیدی قیمت اولیه آن است. اما در دراز مدت پول سرمایه‌گذاری شده می‌تواند به دلیل دوام سلولهای خورشیدی بازگردد.

Abstract - New integrated optical devices combining an InGaAsP/InP HPT and an inner-stripe LED are proposed and their fabrication processes are described. The device functions of light amplification, optical bistability, and optical switching are demonstrated in the 1-um wavelength region.

I. INTRODUCTION: MONOLITHIC integration of well-developed discrete devices such as lasers, light-emitting diodes (LED’s), phototransistors, p-i-n diodes, and avalanche photodiodes (APD’s) has been drawing much attention for better performance and higher reliability [ 11, [2]. By integration, on the other hand, new functions which cannot be expected for the discrete optoelectronic devices can be realized utilizing the optical or electrical interactions between two or more optoelectronic devices [3]-[ ll].

Abstract - We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.