ورود/ثبت نام

وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

گزارش 4 فصلی شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو

دسته بندی: جزوات آموزشی گزارش کار شبیه سازی با نرم افزار پایان نامه
گزارش 4 فصلی شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو
Mohandes360.ir
30 3 1399

طی بررسی‌های انجام شده، تا سه دهه آینده به 10 تا 30 تراوات انرژی پاک در سال نیازمندیم. در حال حاضر، مصرف انرژی در جهان تقریباً 12 تا 13 ترا وات در سال است. انرژی خورشیدی که در مدت یک ساعت به سطح زمین می‌رسد می‌تواند تقاضای انرژی جهان را به مدت یک سال تأمین کند. با رشد جمعیت، تقاضای انرژی در حال افزایش است و منابع سوخت‌های فسیلی کاهش یافته‌اند و این انگیزه بسیار مناسبی برای تحقق و توسعه انرژی‌های تجدید پذیر خواهد بود. با وجودیکه سهم انرژیهای تجدید پذیر در برابر انرژی‌های فعلی بسیار ناچیز است اما پیش‌بینی می‌شود که این فناوری نوظهور بطور قابل توجهی انرژی آینده جهان را تولید کند. برای تولید بخش بزرگی از انرژی مورد نیاز جهان، سلول‌های خورشیدی نیاز به بهبود بیشتری دارند تا بتوانند جایگزین مناسبی برای انرژی‌های فسیلی و هسته‌ای شوند.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaAs) DOPING CONCENTRATION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE

دسته بندی: شبیه سازی با نرم افزار لیزر و اپتیک
شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaAs) DOPING CONCENTRATION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE
Mohandes360.ir
27 3 1399

در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE که اخیراً در سال 2019 به چاپ رسیده ارائه شده است. 
در این پژوهش تأثیر دوپینگ ناحیه تونلی ناهمگن در سلولهای خورشیدی تاندم بررسی شده است. پیوند تونلی (InGaP/GaAs) برای سلولهای خورشیدی چند پیوند (InGaP/GaAs) جهت تعیین عملکرد الکتریکی آنها به عنوان تابعی از غلظت دوپینگ تونل مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، طراحی سلول خورشیدی InGaP/GaAs با استفاده از پیوند تونلی ناهمگونی با غلظت آلایش p--InGaP متفاوت گزارش شده و این میزان غلظت در محدوده e19-e20 می باشد. نتایج این تحقیق نشان داده که غلظت آلایش n-InGaP بر راندمان تبدیل، تراکم جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز تأثیر دارد.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

دسته بندی: شبیه سازی با نرم افزار لیزر و اپتیک
شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers
Mohandes360.ir
26 3 1399

در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد. 

شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco

دسته بندی: شبیه سازی با نرم افزار لیزر و اپتیک
شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco
Mohandes360.ir
26 3 1399

در این پژوهش از یک دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 استفاده شده و با کمک یک رویکرد بهینه سازی لایه BSF، یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs توسعه یافته است. نتایج نشان می دهند که دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 انتقال الکترونها و حفره های بیشتری را نشان می دهد و منجر به بازترکیب کمتری بین سلول های بالا و پایین شده و راندمان سلول خورشیدی دو پیوند را افزایش می دهد. برای دستیابی به ولتاژ مدار باز (VOC) بالاتر، از نیمه هادی GaAs برای تطبیق با Al0.52In0.48P با شکاف باند 2.4eV استفاده شده است. این ماده در سلول پایینی به کار گرفته شده و عملکرد هتروجانکشن Al0.52In0.48P–GaAs منجر به افزایش نرخ تولید نوری افزاره در این ناحیه شده است. 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل

دسته بندی: جزوات آموزشی گزارش کار شبیه سازی با نرم افزار
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل
Mohandes360.ir
22 3 1399

این پست به بررسی بخش مدولاسیون از درس مدارهای مخابراتی می پردازد که از جمله درس های اصلی رشته مهندسی برق در گرایش های الکترونیک و مخابرات است. پیچیدگی بالای مفاهیم درس از یک سو و فرصت محدود ارائه درس در دانشگاه از سوی دیگر، سبب می شود که دانشجویان در درک مطالب با مشکل مواجه شوند. در این آموزش و شبیه سازی تلاش شده است تا مفاهیم به همراه تصاویر و مثال های مختلف تحلیل شوند و با استفاده از بیان شیوا، ابهامات دانشجویان کاسته شود. همچنین مدارهای مربوط به مدولاتور و دمدولاتور AM در نرم افزار پرتئوس شبیه سازی شده و در قالب یک فایل PDF تحلیل شده اند. 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین