mohandes 360

 گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

گزارش کار آز مدارهای الکتریکی که در این پست قرار دادیم بصورت کاملاً تایپ شده، در قالب pdf و در 49 صفحه ارائه شده است. این درس بعد از گذراندن درس مدارهای الکتریکی ارائه می شود که به بررسی عملی و آزمایش مدارهای الکتریکی می پردازد.

فهرست مطالب:

آشنایی با اسیلوسکوپ

مدارهای اصلی اسیلوسکوپ

تنظیمات پایه

کلید MODE

کنترل زمان

کنترل ولتاژ یا دامنه

اندازه گیری اختلاف پتانسیل

اندازه گیری اختلاف فاز

انتخاب وضعیت های DC, AC, GND

آزمایش شماره 1 - اندازه گیری ولتاژ مدار های سری و موازی + محاسبات ریاضی

آزمایش شماره 2 - تحلیل مدار RC (با ورودی DC) + محاسبات ریاضی (از راه مشتق)

آزمایش شماره 3 - تحلیل مدار RC (با ورودی مربعی)+ محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)

آزمایش شماره 4 - تحلیل مدار RC + محاسبات ریاضی (از راه لاپلاس)

آزمایش شماره 5 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی

آزمایش شماره 6 - ترکیب فیلتر ها و مشاهده شکل موج خروجی

آزمایش شماره 7 - اندازه گیری اختلاف فاز + محاسبات ریاضی

پیوست 1 - محاسبات ریاضی مدار RL سری

پیوست 2 - محاسبات ریاضی ولتاژ خازن ها در یک مدار

پیوست 3 - محاسبات ریاضی مدار RC ساده (از راه مشتق)

پیوست 4 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)

پیوست 5 - محاسبات ریاضی مدار RC پیچیده (از راه لاپلاس)

منابع

# گزارش کار آز مدار

# گزارش کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی

# گزارش کار

# مدارات RC

# تحلیل مدار

# تحلیل مدارات RL

# اسیلوسکوپ

گزارش کار کارگاه PLC

گزارش کار آزمایشگاه MAX PLUS II

گزارش کار آزمایشگاه مدار مخابراتی

ادامه مطلب نظرات ()

 گزارش کار

 یکشنبه 15 اردیبهشت 1398

حمیدرضا ارزبین

184
پست



 آموزش نرم افزار ORCAD CAPTURE همراه با مثال های کاربردی

همانطور که می دانید نرم افزار OrCad Capture برای تحلیل های الکترونیکی بسیار قدرتمند است. برای مثال شما می توانید ولتاژ و چریان گره ها مسیرهای مختلف مدار را در حالت های AC و DC تحلیل کرده و بدست آورید. بنابراین با در اختیار داشتن یک آموزش ساده به راحتی می توانید از پس مشکلاتی که در رابطه با کار با این نرم افزار پیش رویتان قرار می گیرد برآیید. این کتاب شامل فصول زیر است:

ایجاد پروژه و ترسیم مدار

تحلیل نقطه کار DC

تحلیل DC SWEEP

تحلیل AC SWEEP

تحلیل Time Domain

تغییر دمای شبیه سازی

# ORCAD CAPTURE

# ORCAD

# اورکد

# نقطه کار DC

# DC SWEEP

# AC SWEEP

# Time Domain

شبیه سازی مقاله با نرم افزار ADS

آموزش سیمولینک (SIMULINK)

آموزش تصویری PSPICE (آموزش به شیوه اینتراکتیو)

ادامه مطلب نظرات ()

 کتب آموزشی آموزش نرم افزار

 یکشنبه 15 اردیبهشت 1398

حمیدرضا ارزبین

184
پست



 ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

Abstract

Reducing the recombination rate and increasing the photo-generation rate play a very significant role in improving the performance of the solar cells. In this research, AlGaAs has been used instead of GaAs in emitter layer with reduction in thicknesses of the base in order to decrease the recombination rate and increase the efficiency of the proposed solar cell. In addition, tunnel junction, buffer junction and BSF layers have been optimized to achieve higher efficiency. The efficiency can be improved by selecting optimal thickness of the materials because of the increase in photo-generation rate and absorption rate, improving transparency of the tunnel area and reducing the recombination rates of the solar cells. The results showed that after optimization, JSC (short circuit current density), VOC (open circuit voltage) and the η (conversion efficiency) of the solar cell are clearly increased. Also, the results of simulation were compared to the other designs in order to compare its performance. In the proposed structure, values of Voc= 2.52 V, Jsc= 29.09 mA/cm2, FF=86.49% and η= 62.04% (1 sun) are obtained under AM1.5G illumination.

چکیده

کاهش نرخ بازترکیب و افزایش نرخ تولید نوری نقش بسیار پر رنگی در بهبود عملکرد سلول‌های خورشیدی بر عهده دارند. در این پژوهش، از AlGaAs به جای امیتر GaAs همراه با کاهش ضخامت بیس به منظور کاهش نرخ بازترکیب و افزایش بازده سلول خورشیدی پیشنهادی، استفاده شده است. بعلاوه برای رسیدن به بازده بیشتر لایه‌های BSF، پیوند تونلی و بافر بهینه‌سازی شده‌اند. با انتخاب ضخامت بهینه مواد، می‌توان بازده را بهبود داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب، بهبود شفافیت ناحیه تونلی و کاهش نرخ بازترکیب سلول خورشیدی است. نتایج حاصله نشان دادند که پس از بهینه‌سازی، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی به وضوح افزایش می‌یابند. همچنین در پایان، نتایج شبیه‌سازی این طرح با سایر طرح‌ها به‌منظور مقایسه عملکرد آن مقایسه شده است. در ساختار پیشنهادی، مقادیر Voc= 2.52 V، Jsc= 29.09 mA/cm2، FF=86.49% و η=62.04% (1 sun) تحت تابش AM1.5G بدست آمده‌اند.

# Anti-reflection coating

# Double-junction (DJ) solar cell

# Tunnel diode

# Short circuit current

# BSF

# Silvaco

# سلول خورشیدی دو پیوند

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی در خصوص سلول های خورشیدی)

ادامه مطلب نظرات ()

 مقالات لیزر و اپتیک

 جمعه 13 اردیبهشت 1398

حمیدرضا ارزبین

184
پست



 ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.

چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز ، جریان اتصال کوتاه ، حداکثر توان ، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست.

# Solar cell

# CIGS absorber layer

# Open circuit voltage

# Short circuit current density

# Fill factor

# Maximum power

# External quantum efficiency

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode

ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی در خصوص سلول های خورشیدی)

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

ادامه مطلب نظرات ()

 مقالات لیزر و اپتیک

 پنجشنبه 23 اسفند 1397

حمیدرضا ارزبین

184
پست



 جزوه روش تحقیق

روش تحقیق جزو دروس مهم کارشناسی ارشد به حساب می آید. جزوه ارائه شده در این پست، نسخه کاملی از جزوه روش تحقیق دکتر صدیق ضیابری بوده و حاوی مطالب زیر می باشد.

فهرست مطالب

مقدمه

تعریف تحقیق و بررسی مقدمات در این حوزه

تحقیق بنیادی

تحقیق بنیادی محض

تحقیق بنیادی راهبردی

تحقیق کاربردی

تحقیق توسعه ای

شاخص هایی برای تقسیم بندی فعالیت های پژوهشی

خدمات علمی و فنی

پژوهشگری ذاتی یا آموختنی؟

محاسن انجام پژوهش توسط دانشجویان

فرآیند تحقیق

تفاوت مقاله های کنفرانسی با مقاله های ژورنالی

مستند سازی تحقیق

روش های جستجو

چگونگی آماده سازی و ارائه یک پژوهش

ساختار کلی پایان نامه

شیوه نگارش پروپوزال از ابتدا تا تحویل نهایی

 چهارشنبه 15 اسفند 1397

حمیدرضا ارزبین

184
پست



عنوان کلی

 دسته ها 

 پیوندها 

 مارکتینگ 

تماس با ما

شبیه سازی با سیلواکو