تبلیغات 
- دوشنبه 16 بهمن 1396
-
شرکت سیلواکو (Silvaco) متعلق به بخش خصوصی، ارائه دهنده نرم‌افزار اتوماسیون طراحی الکترونیکی و نرم‌افزار شبیه‌سازی ادوات است.سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی ها مانند ماسفت ها، ترانزیستور های دو قطبی،دیودها و… می باشد. جوابهای بدست آمده توسط این نرم افزار در مقالات معتبر بسیاری بکار برده شده و می توان گفت در زمینه حل معادلات نیمه هادی ها بی رقیب است.این نرم افزار به مهندسین این امکان را می دهد تا مراحل ساخت قطعات الکترونیکی و همچنین رفتار الکتریکی، نوری، گرمایی قطعات نیمه هادی را شبیه سازی کنند. قابلیت شبیه سازی رفتارهای مختلف پایا، دینامیک زمانی را در دو و سه بعد دارد. همچنین قابلیت شبیه سازی ساختار قطعات الکترونیکی قبل از ساخت آنها در کارخانه را نیز شامل می شود. با شبیه سازی در سطح فیزیک، رفتار الکتریکی افزاره های نیمه هادی را پیش بینی می کند. به عنوان مثال فرایندهای اکسیداسیون، نفوذ، لایه برداری، لایه نشانی و … با استفاده از این نرم افزار شبیه سازی می شود.در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای ساده نیز جهت اجرای کدها ارائه شده است. همچنین جهت مقایسه نمودار ها و جداول، فایلی جهت اینکار پیوست شده که مقادیر و نمودارهای مندرج در مقاله را با مقادیر و نمودارهای شبیه سازی شده مقایسه می نماید.کلیه تصاویر و نمودارهای بدست آمده را می توانید با کلیک روی این لینک مشاهده نمایید.برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs در سیلواکو
ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance
- جمعه 8 دی 1396
-
A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistanceیک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفیIn this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.تعداد صفحات: 12برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
کتاب آموزش سیلواکو ATLAS - بخش پیشرفته (به زبان فارسی)
- چهارشنبه 22 آذر 1396
-
شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدلهای انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند.نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایلهای توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام میشود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد.تعداد صفحات: 185سر فصل های آموزشی بخش پیشرفتهفصل ششم - شبیه سازی ترانزیستورIGBT1-6- مقدمه2-6- مزایا و معایب IGBT3-6- ساختار افزاره4-6- مدل مداری5-6- مدهای عملکردی افزاره1-5-6- حالت سد معکوس2-5-6- حالت هدایت و سد مستقیم6-6- مشخصه خروجی7-6- مشخصه انتقالی8-6- نوع PT و NPT9-6- شبیه سازی10-6- مراجعفصل هفتم - شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش اثر میدانی1-7- مقدمه2-7- ترانزیستورهای بدون پیوند1-2-7- عملکرد ترانزیستور بدون پیوند1-1-2-7- فیزیک ترانزیستور2-1-2-7- مکانیزم جریان ترانزیستور3-7- ترانزیستور بدون آلایش1-3-7- اثر پلاسمای بار2-3-7- ساختار ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش3-3-7- دیاگرام باند انرژی و عملکرد افزاره4-7- شبیه سازی1-4-7- مش بندی2-4-7- نواحی و الکترودها3-4-7- آلایش و کانتکتها4-4-7- مدلهای مورد استفاده در شبیه سازی5-4-7- نتایج شبیه سازی5-7- منابعفصل هشتم - شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی1-8- عملکرد و شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی2-8- معایب ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی1-2-8- توان مصرفی بالا2-2-8 شیب زیر آستانه بالا3-8 عملکرد ترانزیستورهای تونلی4-8- شبیه سازی ترانزیستور تونلی1-4-8 نتایج شبیه سازی (دیاگرام باند انرژی، جریان و هدایت انتقالی)2-4-8- تغییر اندازه پهنای ناحیه تونل زنی3-4-8- بدست آوردن ولتاژ آستانه4-4-8- بدست آوردن شیب زیر آستانه نقطه‌ای و متوسط5-4-8- بدست آوردن فرکانس قطع5-8- مراجعفصل نهم - شبیه سازی سلولهای خورشیدی چند پیوندی1-9- مقدمه2-9- ویژگی های پایه مواد نیمه هادی1-2-9- اثر فتوولتاییک2-2-9- تئوری باند انرژی3-2-9- فرایند جذب و بازترکیب در نیمه‌هادی4-2-9- دیود تونلی3-9- اصول اساسی سلولهای خورشیدی1-3-9- ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه2-3-9- ضریب پر شدگی (FF)3-3-9- بازده تبدیل توان4-9- چالش‌های سلولهای خورشیدی ناهمگون5-9- لایه‌های اصلی سلولهای خورشیدی1-5-9- سلول بالایی و پایینی2-5-9- لایه Window3-5-9- لایه Emitter و Base4-5-9- لایه BSF5-5-9- ناحیه تونلی6-9- طراحی سلولهای چند‌پیوند1-6-9- شکاف باند2-6-9- تطبیق شبکه3-6-9- تطبیق جریان7-9- ساختار کلی سلول خورشیدی چند پیوند گروه III-V8-9- انتخاب مواد و ویژگیهای لایه های مختلف9-9- شبیه سازی در سیلواکو1-9-9- ساختار افزاره2-9-9- نور دهی با AM1.5G3-9-9- رفتار تونل‌زنی4-9-9- مشخصه V-I5-9-9- نرخ تولید فوتون10-9- کدنویسی در Deckbuild11-9- نمایش سایر نمودارهای سلول خورشیدی روی ساختار12-9- نمایش نمودارهای خطی با کمک ساختار13-9- مراجعپیوست 1- آشنایی با مدلهای توزیع آماری Silvaco Atlasپ-1- توزیع آماری حاملهاپ-1-1- فرمی دیراک و روش بولتزمنپ-1-2- تراکم حامل ذاتیپ-1-3- باریک شدگی گاف انرژیپیوست 2- آشنایی با مدلهای تولید و بازترکیب Silvaco Atlasپ-2- مدلهای تولید و بازترکیب حاملپ-2-1- مدل شاکلی رید هالپ-2-2- مدل شاکلی رید هال وابسته به تراکم ناخالصیپ-2-3- تونل زنی به کمک مشکلات شبکهپ-2-4- مدل اوژهپیوست 3- آشنایی با مدلهای موبیلیتی Silvaco Atlasپ-3-1- مدلهای موبیلیتیپ-3-1-1- مدلهای میدان ضعیفپ-3-1-2- مدلهای لایه وارونگیپ-3-1-3- مدلهای وابسته به میدان عمودیپ-3-1-4- مدل وابسته به میدان افقیپ-3-1-5- همخوانی یا عدم همخوانی مدلهای موبیلیتیپ-3-1-6- خلاصه مدلهای موبیلیتیپیوست 4- آشنایی با مدلهای تونل زنی باند به باند Silvaco Atlasپ-4-تونل زنی باند به باندپ-4-1- دیود تونلیپ-4-2- انواع تونل زنی باند به باندپ-4-2-1- تونل زنی باند به باند مستقیمپ-4-2-2- تونل زنی باند به باند غیر مستقیم (تونل زنی به کمک تله)پ-4-3- مدلهای تونل زنی باند به باندپ-4-3-1- مدل استاندارد محلی (BBT.STD)پ-4-3-2- مدل تونل زنی شِنْکپ-4-3-3- مدل تونل زنی محلی کِینپ-4-3-4- مدل تونل زنی باند به باند غیر محلیپ-4-3-4-1- تقریب WKB و احتمال تونل زنی الکترونپ-4-3-4-2- محاسبه جریانپ-4-3-4-3- روش استفاده از مدل غیر محلی در نرم افزار سیلواکوپ-4-3-4-4- ملاحظات تکمیلی برای مدل غیر محلیپ-4-3-4-5- خلاصه پارامترهای مربوط به مدل غیر محلیپیوست 5- آشنایی با مدلهای تحدید کوانتومی Silvaco Atlasپ-5-1- تحدید کوانتومی در ابعاد نانوپ-5-2- Bohm Quantum Potential (BQP)پ-5-2- HANSCHQMنویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغندهدر حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه Adobe reader نیاز می باشد.برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
کتاب آموزش سیلواکو ATLAS - بخش مقدماتی (به زبان فارسی)
- چهارشنبه 22 آذر 1396
-
شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدلهای انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند.نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایلهای توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام میشود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد.تعداد صفحات: 147سر فصل های آموزشی بخش مقدماتیفصل اول - آموزش نصب نرم افزار Silvaco1-1- مقدمه2-1- طریقه نصب سیلواکوفصل دوم - معرفی نرم افزار سیلواکو1-2- مقدمه2-2- معرفی ابزار شبیه سازی ATLAS3-2- مدلهای فیزیکی4-2- مراجعفصل سوم - شروع کار با Silvaco Atlas1-3- بررسی اجمالی Deckbuild2-3- فراخوانی Atlas3-3- ورودیها و خروجیهای ATLAS4-3- ساختار فایلهای ورودی در ATLAS1-4-3- پارامترهای منطقی (Logical)2-4-3- پارمترهای حقیقی (Real) و صحیح (Integer)3-4-3- پارامترهای رشته‌ای (Character)5-3- تعریف مشخصات ساختاری قطعه6-3- توضیحات (Comments)7-3- مش بندی8-3- ناحیه ها (مناطق)9-3- اتصالات الکتریکی (الکترودها)10-3- آلایش11-3- تعیین مشخصات و خواص مواد12-3- تعریف ماده13-3- کتابخانه سیلواکو14-3- تعیین مدل ها15-3- اتصالات الکتریکی16-3- انتخاب روش حل عددی17-3- مشخصه های تحلیل1-17-3- دستور log2-17-3- دستور Solve1-2-17-3- حل DC2-2-17-3- حل AC3-17-3- استخراج داده ها و رسم نمودارها4-17-3- تبادل داده ها با MATLAB5-17-3- ذخیره تصاویر Tonyplot18-3- مراجعفصل چهارم - شبیه سازی دیود p-n1-4- مقدمه2-4- نیمه‌هادی‌های نوع n و p3-4- تئوری باند انرژی4-4- پیوند p-n5-4- شبیه سازی1-5-4- مش بندی ساختار2-5-4- تعریف مناطق3-5-4-تعریف الکترودها4-5-4- تعیین ناخالصی5-5-4- تعریف اتصالات اهمی و شاتکی6-5-4- تعریف مدلها7-5-4- انتخاب روش حل عددی8-5-4- بایاس افزاره9-5-4- نمایش نمودار جریان-ولتاژ دیود p-n10-5-4- نمایش ساختار1-10-5-4- نمایش پروفایل آلایش11-5-4- نمایش ترازهای انرژی6-4- مراجعفصل پنجم - شبیه سازی ترانزیستور ماسفت1-5- مقدمه2-5- ساختار ترانزیستورهای ماسفت3-5- عملکرد ماسفت بدون اعمال ولتاژ به گیت4-5- ایجاد کانال برای عبور جریان5-5- اعمال VDS کوچک6-5- عملکرد به ازای VDS بزرگ7-5- مشخصه ولتاژ – جریان ماسفت افزایشی8-5- ساختار باند در ترکیبات نیمه هادی9-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال اول ماسفت)1-9-5- کد نویسی در ATLAS1-1-9-5- فراخوانی ATLAS2-1-9-5- تعریف مشبندی3-1-9-5- تعریف مناطق4-1-9-5- تعریف الکترودها5-1-9-5- تعریف میزان و نوع آلایش6-1-9-5- تعریف اتصالات7-1-9-5- تعریف مدلها8-1-9-5- انتخاب روش حل9-1-9-5- بدست آوردن حل اولیه10-1-9-5- اجرای شبیه سازی برای بدست آوردن یک حل با شرایط بایاس متفاوت11-1-9-5- نمایش نتایج و ساختار افزاره10-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال دوم ماسفت)1-10-5- کدنویسی11-5- مراجعنویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغندهدر حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه Adobe reader نیاز می باشد.برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
راهنمای فعال سازی آموزش سیلواکو
- سه شنبه 21 آذر 1396
-
ابتدا آموزش سیلواکو را از لینک زیر دریافت کنید:به منظور مشاهده پی دی اف مفید ما، شما باید ثبت نام کنید.چگونه ثبت نام کنیم؟1. لطفا نام آی دی کامپیوتر خود که به رنگ متن خاکستری است، کپی کرده و به این ایمیل ارسال کنید:mohandes360.ir@gmail.com2. من برای شما کلید ثبت نام را ارسال می‌کنم.3. سپس کلید ثبت نام را کپی کرده یا اینکه در محل مورد نظر نوشته و بر روی اوکی کلیک کنید. اگر کلید ثبت نام درست باشد می‌توانید از این پی دی اف لذت ببرید.وبسایت ما: www.electron360.ir - www.mohandes360.irاگر سوالی دارید لطفا با این ایمیل مکاتبه فرماییدmohandes360.ir@gmail.comدر ویندوز 10جهت اجرای برنامه فایل زیر را دانلود نمایید و مراحل گفته شده در آن را اجرا کنید.برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
دسته ها
اخبار داغ
پیوند ها
