کاربر عزیز خوش آمدید!
|

جزوه ریاضی 2 دکتر فتوحی

جزوه ریاضی 2 استاد فتوحی

ریاضی 2 یکی از دروس بسیار مهم و پایه ای می باشد که برای درک سایر دروس بسیار ضروری است. از آنجایی که وابستگی دروس برخی رشته ها از جمله برق به ریاضی بسیار بالاست در نتیجه به یک جزوه و کتاب خوب در این زمینه نیازمندیم که بتواند مطالب را به خوبی آموزش دهد. در این پست یک جزوه بسیار عالی در 351 صفحه جهت دانلود قرار داده شده و فهرست عناوین مندرج در آن به شرح زیر می باشد:

تعریف اعداد حقیقی R - آشنایی با توابع چند متغیره و خواص -  جمع بردارها - ضرب اسکالر - دید هندسی - خواص جمع و ضرب اسکالر - تعریف طول بردار (فرم اقلیدسی) - روش تشخیص خطوط موازی -  خطوط متقاطع - تعریف زاویه - خواص ضرب داخلی - قضیه فیثاغورس - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا خط - ضرب خارجی دو بردار - تعریف صفحه و نحوه نوشتن معادله جبری - صفحات متقاطع - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا صفحه - فاصله دو خط متنافر - راستای عمود بر دو خط - جبر خطی - استقلال خطی - تعریف زیر فضا - تبدیل خطی – نگاشت - فضای پوچ - قضیه رتبه - زیرفضای مستوی - الگوریتم گرام اشمیت - عملگر تصویر بر صفحه - عملگر تصویر بر زیرفضای k بعدی - الگوریتم گرام اشمیت برای زیرفضای k بعدی – تعیین فاصله دو صفحه – دو صفحه متنافر – فاصله دو صفحه متنافر – دترمینان – خواص دترمینان – تعریف حجم – ماتریس ترانهاده – خمهای درجه 2 در صفحه – سطوح درجه 2 در فضا (حالت ساده، بیضی گون، هذلولی گون، مخروط، سهمی گون، سهمی هذلولی) – مقدار ویژه – بردار یکه – ماتریس قطری – ماتریس متقارن – توابع برداری و منحنی ها – فصل مشترک دو سطح – تعریف مشتق – خواص مشتق – طول خم – طول نمودار تابع مشتق پذیر – پرمایش بر حسب طول – مماس یکه – انحنا برحسب t – قضیه اساسی خم ها -  تساوی کوشی شوارتز – بردار قائم – تعریف انحنا – معادلات فرنه سره – تاب خم – مارپیچ – محاسبه انحنا و تاب برحسب زمان – توابع چند متغیره – تصویر تابع روی مجموعه های خاص – مجموعه های تراز – حد و پیوستگی – مشتق – مشتق جهت دار – مشتق جزئی – تقریب خطی تابع به کمک مشتق – محاسبه ماتریس مشتق – تابع مشتق پذیر – خواص مشتق – مشتقات مراتب بالاتر – قضیه جابجایی مشتق های جزیی – نظریه تقریب – تقریب خطی تیلور – چند جمله ای تیلور مرتبه 2 – بررسی سطوح تراز – گرادیان – تابع ضمنی – تابع وارون – مختصات قطبی در صفحه = مختصات کروی – مختصات استوانه ای – مسائل بهینه سازی – اکسترمم – نقاط بحرانی – نقاط مرزی – نقاط ماکسیمم و مینیمم – تابع لاگرانژین – کاربردهای مشتق (بهینه سازی) – انتگرال – انتگرال تابع دو متغیره – تقریب حجم زیر نمودار – انتگرال تابع سه متغیره – خواص انتگرال – قضیه مقدار میانگین – تعریف همبندی – محاسبه انتگرال – خاصیت فوبینی – انتگرال های مجازی – تابع بیکران و دامنه کران دار – تغییر متغیر در انتگرال – تغییر متخصات به قطبی – تغییر مختصات به استوانه ای – تغییر مختصات به کروی – مساحت رویه – مساحت سهمی گون هذلولی – رویه هموار – مساحت کره – انتگرال یک تابع روی رویه – انتگرال روی خم – مساحت جانبی تقاطع دو استوانه – میدان برداری – میدان گرادیان – قضیه گرین – تعریف شار – قضیه استوکس – قضیه دیورژانس

66 نمونه سوال سیگنال و سیستم

نمونه سوالات سیگنال و سیستم

سیگنال ها و سیستم ها یکی از دروس سه واحدی و مهم رشته برق می باشد. در این پست، نمونه سوالات تشریحی سیگنال ها و سیستم های دانشگاه گیلان را جهت دانلود قرار داده ایم. 
تعداد سوالات: 66

آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن

آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن

مواد با شکاف باند پهن در 10 سال گذشته به دلیل کاربرد های الکترونیکی و اپتو الکترونیکی مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. دلیل این علاقه، خواص متفاوت مواد نسبت به سیلیکون است و بیشتر در الکترونیک کاربرد دارند. نیمه هادی های ترکیبی گروه 3 و 5 معمولاً دارای شکاف باندی در محدوده 1eV تا 6eV می باشند. این شکاف باند بسیار بزرگ برای دیودهای نوری (LED) طول موج کوتاه و برای کاربردهای الکترونیکی که توان بالا، ولتاژ شکست بالا و مقاومت در برابر درجه حرارت بالا مورد نیاز باشد مفید است. نیمه هادی های با شکاف باند پهن همچنین در فرکانس های رادیویی (RF) به دلیل انتقال سریع حاملشان به علت غلظت الکترونی ذاتی بالای آنها که 2DEG نامیده می شوند استفاده می شوند.
این تحقیق که در 4 صفحه و در قالب فایل ورد فراهم شده بطور مختصر به معرفی موادی مانند InGaN، InAlN، AlGaN، InN، AlN، GaN و SiC می پردازد. 

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.

فایل ترجمه در قالب ورد و شامل 18 صفحه می باشد. 

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است. 

تماس با ما
سفارش پروژه
ساخت وبلاگ در میهن بلاگ

شبکه اجتماعی فارسی کلوب | اخبار کامپیوتر، فناوری اطلاعات و سلامتی مجله علم و فن | ساخت وبلاگ صوتی صدالاگ | سوال و جواب و پاسخ | رسانه فروردین، تبلیغات اینترنتی، رپرتاژ، بنر، سئو